雪崩型硅光電二極管( APD)
發(fā)布時(shí)間:2015/5/5 19:52:46 訪問(wèn)次數(shù):1276
雪崩型光電二極管是一種具有內(nèi)增益的半導(dǎo)體光敏器件。處于反向偏置的P-N結(jié),AD7150BRMZ其勢(shì)壘區(qū)內(nèi)有很強(qiáng)的電場(chǎng),當(dāng)光照射到P-N結(jié)上時(shí),便產(chǎn)生了光生載流子,光生載流子在這個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)作用下,將加速運(yùn)動(dòng)。光生載流子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,可能碰撞其他原子而產(chǎn)生大量新的二次電子一空穴對(duì)。它們?cè)谶\(yùn)動(dòng)過(guò)程中也獲得足夠大的動(dòng)能,又碰撞出大量新的二次電子一空穴對(duì)。這樣下去像雪崩一樣迅速地碰撞出大量電子和空穴,形成強(qiáng)大的電流,便形成倍增效果。
由于雪崩光電二極管需外加近百伏的反向偏壓,這就要求材料摻雜均勻,并在N+與P(或P+與N)區(qū)間擴(kuò)散,輕摻雜N(對(duì)P+與N之間擴(kuò)散P層)層作為保護(hù)環(huán),使N+P結(jié)區(qū)變寬,呈現(xiàn)高阻區(qū),可以減少表面漏電流,防止N+P結(jié)的邊緣局部過(guò)早擊穿,如圖4- 27(a)、(b)所示,或在P型襯底和重?fù)诫sN+之間生成厚幾百微米的奉征層I,可使雪崩管耐高的反向偏壓,如圖4 -27(c)所示。
圖4 -28是雪崩光電二極管的倍增電流、噪聲與外加偏壓的關(guān)系曲線。從圖上可以看出:在偏置電壓較低時(shí)的A點(diǎn)以左不發(fā)生雪崩過(guò)程;隨著偏壓的逐漸升高,倍增電流也逐漸增加,從曰點(diǎn)到c點(diǎn)增加很快,屬于雪崩倍增區(qū);偏壓再繼續(xù)增大,將發(fā)生雪崩擊穿,同時(shí)噪聲也顯著增加,如圖中c點(diǎn)以右的區(qū)域。因此,最佳的偏壓工作區(qū)是G點(diǎn)以左,否則進(jìn)入雪崩擊穿而燒毀管子。
雪崩型光電二極管是一種具有內(nèi)增益的半導(dǎo)體光敏器件。處于反向偏置的P-N結(jié),AD7150BRMZ其勢(shì)壘區(qū)內(nèi)有很強(qiáng)的電場(chǎng),當(dāng)光照射到P-N結(jié)上時(shí),便產(chǎn)生了光生載流子,光生載流子在這個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)作用下,將加速運(yùn)動(dòng)。光生載流子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,可能碰撞其他原子而產(chǎn)生大量新的二次電子一空穴對(duì)。它們?cè)谶\(yùn)動(dòng)過(guò)程中也獲得足夠大的動(dòng)能,又碰撞出大量新的二次電子一空穴對(duì)。這樣下去像雪崩一樣迅速地碰撞出大量電子和空穴,形成強(qiáng)大的電流,便形成倍增效果。
由于雪崩光電二極管需外加近百伏的反向偏壓,這就要求材料摻雜均勻,并在N+與P(或P+與N)區(qū)間擴(kuò)散,輕摻雜N(對(duì)P+與N之間擴(kuò)散P層)層作為保護(hù)環(huán),使N+P結(jié)區(qū)變寬,呈現(xiàn)高阻區(qū),可以減少表面漏電流,防止N+P結(jié)的邊緣局部過(guò)早擊穿,如圖4- 27(a)、(b)所示,或在P型襯底和重?fù)诫sN+之間生成厚幾百微米的奉征層I,可使雪崩管耐高的反向偏壓,如圖4 -27(c)所示。
圖4 -28是雪崩光電二極管的倍增電流、噪聲與外加偏壓的關(guān)系曲線。從圖上可以看出:在偏置電壓較低時(shí)的A點(diǎn)以左不發(fā)生雪崩過(guò)程;隨著偏壓的逐漸升高,倍增電流也逐漸增加,從曰點(diǎn)到c點(diǎn)增加很快,屬于雪崩倍增區(qū);偏壓再繼續(xù)增大,將發(fā)生雪崩擊穿,同時(shí)噪聲也顯著增加,如圖中c點(diǎn)以右的區(qū)域。因此,最佳的偏壓工作區(qū)是G點(diǎn)以左,否則進(jìn)入雪崩擊穿而燒毀管子。
熱門點(diǎn)擊
- 太陽(yáng)能電池的伏安特性曲線
- 我國(guó)太陽(yáng)能資源分布的主要特點(diǎn)
- 光電倍增管的主要特性參數(shù)
- 相敏檢波的基本原理
- 因特網(wǎng)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)大體上經(jīng)歷了三個(gè)階段的演進(jìn)
- 人工垂直接地體宜采用角鋼
- 光電導(dǎo)效應(yīng)
- 莫爾條紋
- LabVIEW中編程方法可以在前面板和框圖中
- 新式的LED散熱技術(shù)IVC(真空均熱板)的原
推薦技術(shù)資料
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究