反型層的出現(xiàn)說明了柵壓達到閾值時，在Si02和P型半導體之間建立了導電溝。 AD7418ARM因為反型層電荷是負的，故常稱為N型溝道CCD。如果把MOS電容的襯底材料由P型換成N型，偏置電壓也反一下方向，則反型層電荷由空穴組成，即為P型溝導CCD。實際上因為材料中缺乏少數(shù)載流子，當外加柵壓超過閾值時反型層不能立即形成；所以在這短暫時間內(nèi)耗盡區(qū)就更向半導體內(nèi)延伸，呈深度耗盡狀態(tài)，深度耗盡狀態(tài)是CCD的工作狀態(tài)。這時MOS電客具有存儲電荷的能力。同時，柵極和襯底之間的絕大部分電壓降落在耗盡區(qū)。如果隨后可以獲得少數(shù)載流子，那么耗盡區(qū)將收縮，界面勢下降，氧化層上的電壓降增加。當提供足夠的少數(shù)載流子時，就建立起新的平衡狀態(tài)，界面勢降低到材料費米能級中，的2倍。對于摻雜為每立方厘米1015個的P型硅半導體，其費米能級為0. 3V。這時耗盡區(qū)的壓降為0.6V，其余電壓降在氧化層上。

   圖4 -35為實際測得的表面勢西s與外加柵壓的關(guān)系，此時反型層電荷為零。圖4 -36為出現(xiàn)反型層電荷時，表面勢中s與反型層電荷密度的關(guān)系�？梢钥闯鏊鼈兪浅删�性關(guān)系的。

   根據(jù)上述MOS電容的工作原理，為了易于理解，可以用一個簡單的液體模型去比擬電荷存儲機構(gòu)。當電壓超過閾值時，就建立了耗盡層勢阱，深度與外加電壓有關(guān)。當出現(xiàn)反型層時，表面電位幾乎呈線性下降，類似于液體倒入井中，液面到頂面的深度隨之變淺。只是這種勢阱不能充滿，最后有垂，的深度，見圖4 - 37。