電荷的注入。在CCD中，電荷注入AD7440BRM的方法有很多，歸結(jié)起來(lái)，可分為光注入和電注入。

   光注入方式是指，當(dāng)光照射到CCD硅片上時(shí)，在柵極附近產(chǎn)生電子一空穴時(shí)，其多數(shù)載流子被柵極電壓排開(kāi)，少數(shù)載流子則被其收集在勢(shì)阱中形成信號(hào)電荷。光注入方式又可分為正面照射式及背面照射式。CCD攝像器件的光敏單元為光注入方式。

   所謂電注入就是利用CCD的輸入結(jié)構(gòu)對(duì)信號(hào)電壓或電流進(jìn)行采樣，將信號(hào)轉(zhuǎn)換成電荷信號(hào)。電注入方式可以分成電流積分法和電壓注入法。

   ①電流積分法。如圖4 -39(a)所示，由N+擴(kuò)散區(qū)（稱為源擴(kuò)散區(qū)，記為S）和P型襯底形成的二極管是反向偏置的，數(shù)字信號(hào)或模擬信號(hào)通過(guò)隔直電容加到S上，用以調(diào)制輸入二極管的電位實(shí)現(xiàn)電荷注入。輸入柵IG加直流偏置，對(duì)注入電荷起控制作用，在咖2到來(lái)期間，在IG和咖2下形成階梯勢(shì)阱，當(dāng)S處于正偏時(shí)，信號(hào)電荷通過(guò)輸入柵下的溝道，被注入到咖z下的深勢(shì)阱中。被注入到咖2下的勢(shì)阱中的電荷量Q,r取決于源區(qū)S的電壓UID.輸入柵lC下的電導(dǎo)以及注入時(shí)間Te（時(shí)鐘脈沖周期之半）。如果將N+區(qū)看成MOS晶體管的源極，IG為其柵極而咖2為其漏極，當(dāng)宅工作在飽和區(qū)時(shí)，輸入柵IG下溝道電流肛是表面電子遷移率；Z是溝道寬度；￡IG是IG的長(zhǎng)度；UIG是IG的閾值電壓。

   由上式可見(jiàn)，這種注入方式的信號(hào)電荷Q信不僅依賴于UIG和咒，而且與輸入二極管所加偏壓的大小有關(guān)，因此，Q,r與UID的線性關(guān)系較差。另外，信號(hào)由輸入柵引入時(shí)，二極管可以處于反偏也可以處于零偏。