光電池是一個(gè)P-N結(jié)
發(fā)布時(shí)間:2015/5/9 22:11:31 訪問(wèn)次數(shù):938
光電池是一個(gè)P-N結(jié),根據(jù)制AD648CQ結(jié)材料的不同,光電池有硒光電池、硅光電池、砷化稼光電池和鍺光電池4種,本節(jié)主要介紹測(cè)量用硅光電池的工作原理、特性及應(yīng)用。
按照基本材料不同,硅光電池可分為2DR型及2CR型兩種。2DR型光電池是以P型硅為基片;蠑U(kuò)散磷形成N型薄膜,構(gòu)成P-N結(jié),受光面是N型層。2CR型是在N型硅片上擴(kuò)散硼,形成薄P型層,構(gòu)成P-N結(jié),受光面為P型層。
從晶體管理論可知,當(dāng)把N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí),N型半導(dǎo)體中的電子和P型半導(dǎo)體中的空穴就會(huì)互相擴(kuò)散,結(jié)果在PN區(qū)交界面附近形成一個(gè)很薄的空間電荷區(qū),產(chǎn)生如圖4 - 17(b)所示的內(nèi)電場(chǎng),方向由N區(qū)指P區(qū)。當(dāng)光線照射P-N結(jié)時(shí),P-N緒將吸收入射光子。如果光子能量超過(guò)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,則由半導(dǎo)體能帶理論可知,在P-N結(jié)附近會(huì)產(chǎn)生電子和空穴。在內(nèi)電場(chǎng)的作用下,空穴移向P區(qū),電子移向N區(qū),移動(dòng)的結(jié)果,在N區(qū)聚集大量的電子而帶上負(fù)電,在P區(qū)聚集大量的空穴而帶上正電。于是在P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生了電勢(shì),成為光生電動(dòng)勢(shì)。如果用導(dǎo)線和電阻把N區(qū)和P區(qū)連接起來(lái),回路中就會(huì)有光電流,流過(guò),電流方向是由P區(qū)流向N區(qū),這就是光電池受光照時(shí)產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)和光電流的基本原理。
光電池是一個(gè)P-N結(jié),根據(jù)制AD648CQ結(jié)材料的不同,光電池有硒光電池、硅光電池、砷化稼光電池和鍺光電池4種,本節(jié)主要介紹測(cè)量用硅光電池的工作原理、特性及應(yīng)用。
按照基本材料不同,硅光電池可分為2DR型及2CR型兩種。2DR型光電池是以P型硅為基片;蠑U(kuò)散磷形成N型薄膜,構(gòu)成P-N結(jié),受光面是N型層。2CR型是在N型硅片上擴(kuò)散硼,形成薄P型層,構(gòu)成P-N結(jié),受光面為P型層。
從晶體管理論可知,當(dāng)把N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí),N型半導(dǎo)體中的電子和P型半導(dǎo)體中的空穴就會(huì)互相擴(kuò)散,結(jié)果在PN區(qū)交界面附近形成一個(gè)很薄的空間電荷區(qū),產(chǎn)生如圖4 - 17(b)所示的內(nèi)電場(chǎng),方向由N區(qū)指P區(qū)。當(dāng)光線照射P-N結(jié)時(shí),P-N緒將吸收入射光子。如果光子能量超過(guò)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,則由半導(dǎo)體能帶理論可知,在P-N結(jié)附近會(huì)產(chǎn)生電子和空穴。在內(nèi)電場(chǎng)的作用下,空穴移向P區(qū),電子移向N區(qū),移動(dòng)的結(jié)果,在N區(qū)聚集大量的電子而帶上負(fù)電,在P區(qū)聚集大量的空穴而帶上正電。于是在P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生了電勢(shì),成為光生電動(dòng)勢(shì)。如果用導(dǎo)線和電阻把N區(qū)和P區(qū)連接起來(lái),回路中就會(huì)有光電流,流過(guò),電流方向是由P區(qū)流向N區(qū),這就是光電池受光照時(shí)產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)和光電流的基本原理。
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