硅因為具有吸收光線、CND0207A產(chǎn)生電流的能力，可是大約有一半的紅色光與大部分紅外線會穿過硅片，不會被吸收[97]。但是黑硅對于可見光和部分短波紅外光有很強的吸收能力，而且制作工藝簡單，因此，在國內外迅速成為研究熱點。黑硅表面形貌如圖3 -20所示。

   圖3-20黑硅表面形貌

   本書設計制作一種以Si-Si0：-Poly三層材料“仿襯底”；單層氧化硅作介質支撐膜；熱偶條兩種材料分層排布，中間以薄氧化層作隔離；黑硅為吸收層；正面打孔的XeF2干法釋放結構的IC兼容熱電堆紅外探測器。熱電堆紅外探測器的整體結構示意圖如圖3 -21所示。