通過以上分析，CND0008A04MC選取懸臂梁結(jié)構(gòu)熱電堆紅外探測器進(jìn)行研究，制作中吸收區(qū)和熱偶區(qū)都設(shè)計(jì)開口用作釋放。懸臂梁結(jié)構(gòu)示意圖見圖3 -16。為了使最后的釋放更加容易控制，需要在襯底進(jìn)行腐蝕停止的設(shè)計(jì)，用來避免熱偶的冷結(jié)也被懸空，如圖3 -17所示。設(shè)計(jì)了采用硅襯底+氧化硅+較厚的多晶硅作為“仿襯底”，最后釋放的是多晶硅層。在多晶硅層挖一個(gè)環(huán)形槽，生長氧化硅介質(zhì)層后，氧化硅填充入槽。那么，整個(gè)釋放區(qū)域就被氧化硅“包圍”。具體步驟如圖3 -18所示。在XeF：干法釋放中，多晶硅和氧化硅的選擇比高達(dá)400：1，這樣可以有效的調(diào)節(jié)釋放區(qū)域的面積和尺寸。

   首先，熱偶條的材料選擇需要考慮到塞貝克系數(shù)等參數(shù)祁lC兼容的要求。因此，P型多晶硅和N型多晶硅是較好的選擇。塞貝克系數(shù)之差達(dá)200 VV/K，而且是MEMS工藝中常見的材料，制作簡單。一般來說，熱電堆紅外探測器的熱偶條都是成對的排布在介質(zhì)膜表面，這樣使熱偶條的對數(shù)和寬度互相限制，同時(shí)也限制了吸收區(qū)的面積。針對這一問題，本書設(shè)計(jì)了一種熱電堆紅外探測器，

熱偶條的兩種材料分兩層分布，而不是同時(shí)分布在介質(zhì)支撐膜上，如圖3 -19所示。兩層之間添加Si0：作隔離，避免兩層多晶硅制作時(shí)工藝互相影響造成結(jié)構(gòu)損壞。