通過上述方法，GAL16V8-25QC1制備加工紅外熱釋電敏感元件，紅外吸收薄膜層被制備在敏感元件表面，以提高熱能轉(zhuǎn)化成電能。濾光片實現(xiàn)紅外敏感元件選擇性吸收紅外輻射，設(shè)計過程中可根據(jù)需要進(jìn)行選擇濾光片的性能參數(shù)指標(biāo)。所選擇的濾光片性能參數(shù)覓表3-2，其濾光片被安裝在每一探測器的敏感元件的前端‘I08，制作兩種紅外探測器，以便在使用過程中分別選擇響應(yīng)檢測的探測器和考作用的探測器成對使用，形成雙通道檢測方法。參考探測器的使用，在算法上可以利用兩通道求比值的方法來解算結(jié)果，解決了光強(qiáng)強(qiáng)度難以直接測量的問題，同時也提高了系統(tǒng)的靈敏度。

   濾光片通過采用環(huán)氧樹脂與殼體頂蓋連接，共同構(gòu)成一個紅外輻射窗口，可以讓紅外輻射選擇性通過，直到敏感元件的吸收層上，殼體與敏感元件的連接及內(nèi)部結(jié)構(gòu)描述如圖3-31所示。

   敏感元件的表面電荷通過一個場效應(yīng)晶體管緩沖放大，從而提供一個有用的信號輸出。這些電荷被聚集在場效應(yīng)晶體管上，通過與外部電路連接，提供輸出信號，一個高阻抗的電阻跨接在敏感元件的兩端，敏感元件的表面電荷從一端表面流向高阻抗電阻，再回到另一表面，形成回路電流[109。敏感元件能夠在具有一定頻率的紅外輻射下工作，當(dāng)沒有紅外輻射情況，表面溫度降低，敏感元件的電荷將改變極性。場效應(yīng)晶體管工作在源跟隨器模式，它提供了一個偏置電壓0.4~1．OV，疊加在探測器的輸出信號上。為了避免場效應(yīng)晶體管工作的功耗過大而引起的探測器內(nèi)熱產(chǎn)生，流過場效應(yīng)晶體管的電流被限制在10一20 VA之間。外形結(jié)構(gòu)、輸出電路以及紅外探測器的原理圖見圖3 -31。鉭酸鋰敏感元件、CMOS放大器、窄帶濾光片、47k(l電阻和一個電容都被真空封裝集成在一個T0-18型的金屬管殼內(nèi)，因此，單波長單通道的T0-18型探測器被制備，其濾波片可以根據(jù)具體需要在集成安裝時選擇，