敏感元件的表面電荷通過(guò)一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管緩沖放大，從而提供一個(gè)有用的信號(hào)輸出。GAL16V8AS-12HC1這些電荷被聚集在場(chǎng)效應(yīng)晶體管上，通過(guò)與外部電路連接，提供輸出信號(hào)，一個(gè)高阻抗的電阻跨接在敏感元件的兩端，敏感元件的表面電荷從一端表面流向高阻抗電阻，再回到另一表面，形成回路電流[109。敏感元件能夠在具有一定頻率的紅外輻射下工作，當(dāng)沒(méi)有紅外輻射情況，表面溫度降低，敏感元件的電荷將改變極性。場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作在源跟隨器模式，它提供了一個(gè)偏置電壓0.4~1．OV，疊加在探測(cè)器的輸出信號(hào)上。為了避免場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作的功耗過(guò)大而引起的探測(cè)器內(nèi)熱產(chǎn)生，流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流被限制在10一20 VA之間。外形結(jié)構(gòu)、輸出電路以及紅外探測(cè)器的原理圖見(jiàn)圖3 -31。鉭酸鋰敏感元件、CMOS放大器、窄帶濾光片、47k(l電阻和一個(gè)電容都被真空封裝集成在一個(gè)T0-18型的金屬管殼內(nèi)，因此，單波長(zhǎng)單通道的T0-18型探測(cè)器被制備，其濾波片可以根據(jù)具體需要在集成安裝時(shí)選擇.

   設(shè)計(jì)過(guò)程需考慮的一個(gè)重要問(wèn)題是敏感元件與窗體等的布局問(wèn)題，合理的布局有利于提高探測(cè)器的性能。因此，兩個(gè)關(guān)于探測(cè)器的布局設(shè)計(jì)的重要參數(shù)：探測(cè)器的視場(chǎng)(A Detector's Fielcl of View，F(xiàn)OV)、探測(cè)器的入射角(Wide Angleof Incidence，AOI)‘106 3。探測(cè)器的視場(chǎng)應(yīng)該盡可能大，以便更多的輻射被入射到探測(cè)器的敏感元件上。同時(shí)也要綜合考慮不必要的光輻射被入射到敏感元件上。而對(duì)于探測(cè)器的入射角必須選取合適，這樣才可以保證更多的輻射被有效地折射到敏感元件上。具體設(shè)計(jì)方案通過(guò)圖3 -32和圖3-33來(lái)描述。