上述光源結(jié)構(gòu)存在的問題在于輻射性能方面有待提高，采用傳繞CMOS-MEMS工藝制作的紅外光源輻射率由于受到輻射材料薄膜結(jié)構(gòu)的限制，AT90S4414-8AC輻射性能低于集成了納米結(jié)構(gòu)的光源，而納米輻射增強(qiáng)結(jié)構(gòu)很難采用CMOS-MEMS兼容的工藝制作，如需要特殊的電化學(xué)腐蝕工藝、高溫?zé)?/span>結(jié)工藝等。為了提高紅外光源的相關(guān)性能且保持輻射源制作成本的相對低廉，如何使用CMOS-MEMS兼容的工藝制作納米結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)輻射性能成為了今后紅外輻射源設(shè)計與制作工藝研究的重點。

   另一方面，紅外探測器是紅外氣體傳感系統(tǒng)中的一個重要組成部分。基于熱電堆敏感原理的紅外探測器因其特殊的性質(zhì)，在氣體傳感器中獲得了應(yīng)用。目前，針對熱電堆紅外探測器的研究已經(jīng)廣泛開展。例如，2012年，法國IEMN電子、微電子、納米技術(shù)研究中心使用CMOS工藝制造了一種無須封裝的紅外熱電堆傳感器！60，該方案使用金屬薄膜將多晶硅敏感材料部分遮蔽，在多晶硅薄膜中形成溫度梯度以實現(xiàn)紅外輻射的探測，雖然該方案制得的紅外探測器分辨率較低，但由于其不需封裝就能使用，制作成本十分的低廉，非常適用于低端產(chǎn)品。2011年，韓國LG公司與韓國大學(xué)合作，使用N型多晶硅與Al為材料，通過MEMS工藝制造了橋式結(jié)構(gòu)的高性能熱電堆紅外探測器‘61]，且將其應(yīng)用于NDIR二氧化碳?xì)怏w傳感器，該器件在體積上比傳統(tǒng)熱電堆器件小了近50%。在該器件中使用了Si0：-Cr鍍層作為紅外吸收層，進(jìn)而  提高了紅外吸收效率。