近年來(lái)，AT89C2051-24PI隨著納米技術(shù)的不斷發(fā)展，納米結(jié)構(gòu)與光學(xué)相關(guān)的特性被不斷探索開(kāi)發(fā)出來(lái)。例如，美國(guó)ICx Photonics公司在微米量級(jí)的金屬輻射層上利用表面粗糙化技術(shù)研制出了小體積、低功耗、高輻射率的PulsIR@ MEMS紅外光源[54]，如圖8-2所示。瑞士Leister公司也研制了集成鉑黑納米結(jié)構(gòu)的MEMS紅外光源55，

通過(guò)在半導(dǎo)體薄膜表面上沉積鉑黑材料，使光源在2~ 14 p.m波段內(nèi)的輻射強(qiáng)度達(dá)到90 010，如圖8-3所示。2008年，荷蘭代爾夫特理工大學(xué)的J．F．Creemer等人研制出了以TiN納米薄膜材料作為發(fā)熱層的MEMS紅外光源[56]，TiN不僅有良好的耐高溫特性，而且與CMOS工藝兼容，降低了制造成本。另外，美國(guó)In-tex公司于201 1年通過(guò)等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在光源表面沉積納米無(wú)定形碳材料作為輻射層，通過(guò)離子注入摻雜來(lái)改變其硬度、導(dǎo)電性等，提高了光源的輻射強(qiáng)度[57]。德國(guó)FRAUNHOFER物理測(cè)量技術(shù)研究所結(jié)合現(xiàn)有的MEMS工藝技術(shù)，加工得到微橋型紅外光源，并在其表面涂覆了由納米Al：0，顆粒形成的涂層，使紅外光源的發(fā)射率得到了很大的提升[58]。在國(guó)內(nèi)，復(fù)旦大學(xué)使用Pt電阻絲與SixNy-空氣表面二維光子晶體制作了MEMS紅外光源，其發(fā)射率較傳統(tǒng)紅外光源提高了2倍[59]。