具體擊穿過程一般認(rèn)為是一個(gè)熱、電過程。AD8475ARMZ隧穿電流與陰極場強(qiáng)有關(guān)。這涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能絕對平整，微觀上可能存在一些突起，使局部電場增強(qiáng)，也可能氧化層中某處存在一些雜質(zhì)或缺陷，使界面勢壘高度降低，這都使該薄弱處首先產(chǎn)生隧道電子流。在外場作用下，電流呈絲狀形式漂移穿過Si0：膜，這種絲狀電流直徑僅數(shù)納米，電流密度很大，而Si0。的熱導(dǎo)率裉低(300K時(shí)約為0.OIW／(cm．℃))，局部地區(qū)產(chǎn)生很 大的焦耳熱使溫度升高，溫升又促進(jìn)F-N電流增加，這樣相互促進(jìn)的正反饋?zhàn)饔�，最終形成局部高溫，如不能及時(shí)控制電流的增長，可使鋁膜、Si02膜和硅熔融，發(fā)生燒毀性擊穿。

   當(dāng)前，對柵氧擊穿主要是由負(fù)電荷的電子或正電荷的空穴起主要作用的問題，尚無明確結(jié)論，文獻(xiàn)報(bào)道中說明是正電荷空穴積累得很多。但也不能否定電子的作用，所以可能兩者都起作用，只是何種（可能是空穴）為主的問題。