根據(jù)氧化層的擊穿是由于空穴被陷入并積聚在氧化層內(nèi)的局部陷阱（弱斑）處，L123CB陷入的空穴流可表示為  

   (Eox)是F-N電流密度，它正比于e_BEox，a是電離碰撞空穴產(chǎn)生系數(shù)cc Eox。Ce一H/EOX，B為與電子有效質(zhì)量和陰極界面勢壘有關(guān)的常數(shù)(≈240MV／cm)，H≈80MV／cm，為經(jīng)歷的時間。

   當(dāng)Q。達到某一臨界值時即產(chǎn)生擊穿，時間為tBD

   B+HjL

   tBD OC eEOX oC eEOX

   實際氧化層中可能存在局部減薄區(qū)（如盲孔），局部電荷的積累，存在雜質(zhì)或沾污，使局部電場增強或界面處勢壘減弱，這都使F-N電流增加，柵氧提前擊穿。如果不考慮其擊穿的物理機制，僅從擊穿的后果來考慮，引入等效氧化層減薄這一概念，上述柵氧的各種缺陷用一等效減薄量來表示，則上式成為

    Xox為柵氧名義厚度，AXox是由于存在缺陷而使柵氧減薄的量，X。，，是等效柵氧厚度，ro為一常數(shù)。這樣?xùn)叛鯎舾F時間的統(tǒng)計分布就可并入AXox的統(tǒng)計分布中，而局部減薄處的面積并不重要。當(dāng)某個局部處發(fā)生短路，整個柵氧就發(fā)失效。根據(jù)這一思路，就可編制程序?qū)叛蹩煽啃约右阅M，這就是RERT（美國加州伯克利大學(xué)可靠性模擬工具）中CORS(電路氧化層可靠性模擬器)的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)。