芯片加工成后還需通過后工序組裝成一個(gè)獨(dú)立的工作單元，才能提供使用，LC75852W所以微電子器件由性能各異的一些材料組成，如硅片、S102、鋁、迮線、金屬框架和引線，以及塑封外殼等。這些材料的線熱膨脹系數(shù)各不相同，當(dāng)其連成一個(gè)整體后，在不同材料界面間存在壓縮或拉伸應(yīng)力，這時(shí)熱應(yīng)力與材料間線熱膨脹系數(shù)差及溫度差成正比，由熱應(yīng)力引起的失效可分為下述兩類。

   1．破壞性失效

   熱應(yīng)力大到一定程度后會(huì)對(duì)器件產(chǎn)生破壞作用，如塑封管殼出現(xiàn)裂紋，引線封接處裂開，造成氣密性失效，大功率器件的管芯與底座間燒結(jié)層出現(xiàn)裂紋或空洞使歐姆接觸不良，熱阻增大，導(dǎo)致早起失效或瞬時(shí)燒毀。為此不僅要選用線熱膨脹系數(shù)相近的材

料，還應(yīng)加強(qiáng)沾污控制，保證焊接表面清潔，改進(jìn)工藝，防止焊接面裂紋及空隙的產(chǎn)生。

   2．熱疲勞

   器件工作時(shí)，由于材料間的線熱膨脹系數(shù)不同及溫度變化，在焊接面間產(chǎn)生周期性的剪切應(yīng)力，使硅片龜裂或焊料“疲勞”而龜裂。界面間結(jié)合的損傷，最終導(dǎo)致焊接層破壞，鍵合引線開路，器件性能退化或失效。

   改進(jìn)辦法是提高焊料抗拉強(qiáng)度，焊接面中間用墊片過渡或硅片背面多次金屬化，以降低材料間的線熱膨脹系數(shù)差。密封金屬殼中充以高純氮（O。的體積比<200×10 -）也可改善熱疲勞狀況。