電路輸出端上閂鎖發(fā)生情況
發(fā)布時(shí)間:2015/6/25 21:07:33 訪問次數(shù):1066
電路輸出端閂鎖觸發(fā)的等效電路如圖4. 20所示。當(dāng)輸出端上存在正的外部噪聲時(shí),寄HCPL-7860P生PNP管VT.,的E-B結(jié)正向偏置,基極電流通過Rs流入U(xiǎn)DD中,VT.,管導(dǎo)通,其集電極電流通過P阱內(nèi)部Rw進(jìn)入U(xiǎn)s。,Rw上產(chǎn)生壓降,當(dāng)VT,z管的UBE達(dá)到正向?qū)妷簳r(shí),VT,。導(dǎo)通,VT,。的集電極電流流向VT.,基極使其電位降低,VT.,進(jìn)一步導(dǎo)通結(jié)果使UDD與Uss之間形成低阻電流通路,這就發(fā)生了閂鎖。
a)輸出電路 b)寄生SCR等效電路
c)電路剖面和寄生SCR結(jié)構(gòu)
圖4. 20 電路輸出端上閂鎖發(fā)生情況
溫度升高,晶體管E-B結(jié)正向?qū)妷合陆,電流增益和寄生電阻隨溫度升高而增大,導(dǎo)致維持電流IH隨溫度升高而下降。另外,PN結(jié)反向漏電隨溫度上升而增大,而P阱襯底結(jié)的反向漏電正是寄生SCR結(jié)構(gòu)的觸發(fā)電流,所以高溫下閂鎖更易發(fā)生。
電路輸出端閂鎖觸發(fā)的等效電路如圖4. 20所示。當(dāng)輸出端上存在正的外部噪聲時(shí),寄HCPL-7860P生PNP管VT.,的E-B結(jié)正向偏置,基極電流通過Rs流入U(xiǎn)DD中,VT.,管導(dǎo)通,其集電極電流通過P阱內(nèi)部Rw進(jìn)入U(xiǎn)s。,Rw上產(chǎn)生壓降,當(dāng)VT,z管的UBE達(dá)到正向?qū)妷簳r(shí),VT,。導(dǎo)通,VT,。的集電極電流流向VT.,基極使其電位降低,VT.,進(jìn)一步導(dǎo)通結(jié)果使UDD與Uss之間形成低阻電流通路,這就發(fā)生了閂鎖。
a)輸出電路 b)寄生SCR等效電路
c)電路剖面和寄生SCR結(jié)構(gòu)
圖4. 20 電路輸出端上閂鎖發(fā)生情況
溫度升高,晶體管E-B結(jié)正向?qū)妷合陆,電流增益和寄生電阻隨溫度升高而增大,導(dǎo)致維持電流IH隨溫度升高而下降。另外,PN結(jié)反向漏電隨溫度上升而增大,而P阱襯底結(jié)的反向漏電正是寄生SCR結(jié)構(gòu)的觸發(fā)電流,所以高溫下閂鎖更易發(fā)生。
熱門點(diǎn)擊
- 信號(hào)調(diào)理電路
- 隔爆型電氣設(shè)備主要在工業(yè)爆炸危險(xiǎn)工作場所使用
- 電路輸出端上閂鎖發(fā)生情況
- 儀器儀表學(xué)科特點(diǎn)
- 概括起來本書的主要貢獻(xiàn)在于以下4個(gè)方面
- 失效物理的應(yīng)用
- 確認(rèn)失效階段的任務(wù)有
推薦技術(shù)資料
- 中國傳媒大學(xué)傳媒博物館開
- 傳媒博物館開館儀式隆童舉行。教育都i國家廣電總局等部門... [詳細(xì)]
- 最新一代600V超級(jí)接面MOSFET KP3
- 業(yè)界新品1700V碳化硅MOS
- 新一代光纖通信200Gbps
- 業(yè)界首款2000W高瓦數(shù)電源方
- IMC302A搭配IPM模塊應(yīng)用探究
- 低功耗入墻式 AP 系列射頻前
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究