半導體器件失效分析基本程序
發(fā)布時間:2015/6/26 20:02:05 訪問次數(shù):629
現(xiàn)場使用失效的樣品的MC68360ZQ25VL失效分析基本項目與內(nèi)容，如表4.3所示。
表4.3失效分析基本程序表
習題
1．討論電子元器件的失效物理模型有哪些？
2．討論在二氧化硅的界面會有什么樣的污染，對器件的可靠性影響如何？
3．什么是熱載流子效應？試討論電荷泵測試的工作原理。
4．什么是電遷移失效？討論如何避免電子元器件的此種失效。
5．輻射損傷的來源有哪些？如何提高元器件的抗輻射能力？
6．簡述通常的失效分析程序及常用的設備。
現(xiàn)場使用失效的樣品的MC68360ZQ25VL失效分析基本項目與內(nèi)容，如表4.3所示。
表4.3失效分析基本程序表
習題
1．討論電子元器件的失效物理模型有哪些？
2．討論在二氧化硅的界面會有什么樣的污染，對器件的可靠性影響如何？
3．什么是熱載流子效應？試討論電荷泵測試的工作原理。
4．什么是電遷移失效？討論如何避免電子元器件的此種失效。
5．輻射損傷的來源有哪些？如何提高元器件的抗輻射能力？
6．簡述通常的失效分析程序及常用的設備。
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