現(xiàn)場(chǎng)使用失效的樣品的MC68360ZQ25VL失效分析基本項(xiàng)目與內(nèi)容，如表4.3所示。

   表4.3失效分析基本程序表

   習(xí)題

   1．討論電子元器件的失效物理模型有哪些？

   2．討論在二氧化硅的界面會(huì)有什么樣的污染，對(duì)器件的可靠性影響如何？

   3．什么是熱載流子效應(yīng)？試討論電荷泵測(cè)試的工作原理。

   4．什么是電遷移失效？討論如何避免電子元器件的此種失效。

   5．輻射損傷的來源有哪些？如何提高元器件的抗輻射能力？

   6．簡(jiǎn)述通常的失效分析程序及常用的設(shè)備。