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影響電特性的因素

發(fā)布時間:2015/7/1 19:58:22 訪問次數(shù):972

   直流電阻率、 HIT647-EQ電導率和介電常數(shù)是鐵氧體電特性的主要參量,導致電特性出現(xiàn)差異主要是由鐵氧體的微觀結構和化學組成的不同。鐵氧體是一種磁性半導體,在電性能上屬于半導體,其電阻率隨溫度的增加而降低,它們的導電機理是不同的,可以是空穴導電,也可以是電子導電。為了提高電導率,應當盡量避免離子以多價狀態(tài)存在,尤其是容易導電的Fe2+離子,如加入少量的Mn或Al來置換和稀釋Fe2+離子,均可提高電阻率。

   鐵氧體微觀結構的分析方法

   鐵氧體材料與元件失效主要表現(xiàn)為物理性能變壞,超過標準而失效,此失效與材料的微觀結構有著密切的聯(lián)系,研究材料的微觀結構是分析失效機理,改善材料與元件性能的根本措施。材料的化學成分可以采用一般的化學分析方法進行定性和定量分析,而現(xiàn)代儀器分析技術使之可以進行迅速、簡便、高精度的成分分析,同時還可對鐵氧體材料的晶型、相組成和形貌(即晶粒、晶界、氣孑L的形狀大小和分布,以及裂紋、位錯等缺陷)進行

直接觀察。表5. 11給出了對于鐵氧體微觀結構常用的分析方法,應用范圍說明:Ml表示粉末顆粒和多晶材料的晶粒大小、分布、相組成的定性和定量分析;M2表示粉末顆糧和材料表面層形貌、晶型、相組成的定性和定量分析以及內應力和缺陷;M3表示粉末顆粒、薄膜和材料表面層或斷口的形貌;M4表示材料的晶體構造、晶格常數(shù)、相組成的定性和定量分析、晶體的缺陷、單晶定向和多晶結構等;M5表示材料的表面層各種元素的分布狀態(tài)、化學成分和形貌的綜合分析;M6表示粉末顆粒、薄膜材料表面或斷口的形貌、材料的晶體構造。

   表5 11鐵氧體微觀結構分析方法

        

   直流電阻率、 HIT647-EQ電導率和介電常數(shù)是鐵氧體電特性的主要參量,導致電特性出現(xiàn)差異主要是由鐵氧體的微觀結構和化學組成的不同。鐵氧體是一種磁性半導體,在電性能上屬于半導體,其電阻率隨溫度的增加而降低,它們的導電機理是不同的,可以是空穴導電,也可以是電子導電。為了提高電導率,應當盡量避免離子以多價狀態(tài)存在,尤其是容易導電的Fe2+離子,如加入少量的Mn或Al來置換和稀釋Fe2+離子,均可提高電阻率。

   鐵氧體微觀結構的分析方法

   鐵氧體材料與元件失效主要表現(xiàn)為物理性能變壞,超過標準而失效,此失效與材料的微觀結構有著密切的聯(lián)系,研究材料的微觀結構是分析失效機理,改善材料與元件性能的根本措施。材料的化學成分可以采用一般的化學分析方法進行定性和定量分析,而現(xiàn)代儀器分析技術使之可以進行迅速、簡便、高精度的成分分析,同時還可對鐵氧體材料的晶型、相組成和形貌(即晶粒、晶界、氣孑L的形狀大小和分布,以及裂紋、位錯等缺陷)進行

直接觀察。表5. 11給出了對于鐵氧體微觀結構常用的分析方法,應用范圍說明:Ml表示粉末顆粒和多晶材料的晶粒大小、分布、相組成的定性和定量分析;M2表示粉末顆糧和材料表面層形貌、晶型、相組成的定性和定量分析以及內應力和缺陷;M3表示粉末顆粒、薄膜和材料表面層或斷口的形貌;M4表示材料的晶體構造、晶格常數(shù)、相組成的定性和定量分析、晶體的缺陷、單晶定向和多晶結構等;M5表示材料的表面層各種元素的分布狀態(tài)、化學成分和形貌的綜合分析;M6表示粉末顆粒、薄膜材料表面或斷口的形貌、材料的晶體構造。

   表5 11鐵氧體微觀結構分析方法

        

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