場效應(yīng)晶體管， DS12C887簡稱場效應(yīng)管。其特性和真空三極管相似，是一種電壓控制元件，具有輸入阻抗高，噪聲低，動態(tài)范圍大，抗干擾，抗輻射能力強等特點，是較理想的電壓放大元件和開關(guān)元件。

   場效應(yīng)晶體管是由一個反向偏置的PN結(jié)組成的半導(dǎo)體器件，所以又稱為單極晶體管，它是利用電壓所產(chǎn)生的電場強弱來控制導(dǎo)電溝道的寬窄（即電流的大小），實現(xiàn)放大作用的。按結(jié)構(gòu)的不同，可分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。結(jié)型和絕緣柵型場效應(yīng)管的實物圖如圖8-1所示。

   (a)結(jié)型場效應(yīng)管    (b)絕緣柵型場效應(yīng)管

   圖8-1  結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的實物圖