(1)用埋層電極、表面MPU-6000鈍化、密柵工藝優(yōu)化背電場及接觸電極等來減少光生載流子的復合損失，提高載流子的收集效率，從而提高太陽能電池的效率。澳大利亞親南威爾士大學格林實驗室采用了這些方法，已經(jīng)研發(fā)出目前硅太陽能電池界公認的在AMl.5條件下24%的最高效率。

   (2)用優(yōu)化抗反射膜、凹凸表面、高反向背電極等方式減少光的反射及透射損失，以提高太陽能電池效率。

   (3)烈定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替單晶硅，優(yōu)化正背電極的銀漿、鋁漿的絲網(wǎng)印制工藝，改進硅片的切、磨、拋光等工藝，以提高太陽能電池效率。

   計算表明，若能在金屬、陶瓷、玻璃等基板上低成本地制備厚度為30～50ym的大面積的優(yōu)質多晶硅薄膜，則太陽能電池制作工藝可進一步簡化，成本可大幅度降低，因此多晶硅薄膜太陽能電池正成為研究熱點。

    單晶硅太陽能電池由于是由圓柱形的晶錠裁切而成，并非是完整的正方形，造成了一些精煉硅料的浪費。因此大部分的單晶硅四個角落都會有空隙，外觀上很容易分辨。單晶硅太陽能電池的構造和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應用的太陽能電池采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復拉制成太陽能電池專用的單晶硅棒。