光電效應(yīng)又可以分成內(nèi)光電效應(yīng)與外光電效應(yīng)。內(nèi)光電效應(yīng)是吸收外部光線中的能量后，FX0380帶電微粒仍在物體內(nèi)部運動，只是使物體的導(dǎo)電性發(fā)生了較大變化的現(xiàn)象，它是半導(dǎo)體圖像傳感器的核心技術(shù)；外光電效應(yīng)則是受外來光線中能量激發(fā)的微粒逃逸出物體表面，形成空間中的眾多自由粒子的現(xiàn)象，真空攝像管、圖像增強器等元器件就是根據(jù)這一原理工作�？梢哉f，光電效應(yīng)是圖像檢測的基礎(chǔ)。

   CCD圖像傳感器于1969年在美國貝爾試驗室研制成功，發(fā)展歷程已40多年，以其成熟穩(wěn)定的技術(shù)、清晰的圖像，在高端數(shù)碼產(chǎn)品中具有優(yōu)勢。這種傳感器可分為線型( Linear)與面型(Area)兩種，前者應(yīng)用于影像掃描器及傳真機上，后者則主要應(yīng)用于數(shù)碼相機( DSC)、攝錄影機、監(jiān)視攝影機等影像輸入產(chǎn)品中。兩種類型的組成單元都是電荷耦合器件（CCD器件）。

   (1)電荷耦合器件。電荷耦合器件是一種在大規(guī)模集成電路技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)上產(chǎn)生的，具有存儲、轉(zhuǎn)移并讀出信號電荷功能的半導(dǎo)體器件，其基本組成部分是MOS電容和讀出移位寄存器。

  MOS電容的結(jié)構(gòu)，宅是在P型半導(dǎo)體基片上形成一層氧化物，在氧化物上再沉積出一層金屬電極，從而形成一種金屬電極一半導(dǎo)體氧化物一半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，即MOS電容。