所有工藝氣體都要求極高的純度
發(fā)布時(shí)間:2015/10/26 22:19:54 訪問次數(shù):691
標(biāo)來(lái)衡量:
1.純度
2.水氣含量
3.微粒
4.金屬離子
所有工藝氣體都要求極高的純度,HPA02163RGER用于氧化、濺射、等離子刻蝕、化學(xué)氣相沉積( CVD)、反應(yīng)離子刻蝕、離子注入和擴(kuò)散等工藝的氣體也有特殊要求。所有涉及化學(xué)反應(yīng)的1:藝都需要能量。如果工藝氣體被其他氣體污染,則預(yù)期的反應(yīng)就會(huì)產(chǎn)生顯著改變,或者在晶圓表面的反應(yīng)結(jié)果也產(chǎn)生改變。例如,一罐濺射工藝用氬氣里如果有氯雜質(zhì),就會(huì)導(dǎo)致生成的濺射薄膜有影響器件質(zhì)量的惡果。氣體純度由成分?jǐn)?shù)表示,純度·般從99. 99%到99. 999 999%,取決于氣體本身和該氣體在工藝中的用途。純度由小數(shù)點(diǎn)右邊9的個(gè)數(shù)表示,最高純度級(jí)別可為“6個(gè)9純度”22‘。
保持氣體從生產(chǎn)商到工藝工作臺(tái)過程中不變的純度是對(duì)晶圓制造廠的一個(gè)挑戰(zhàn)。從生產(chǎn)源開始,氣體要通過管道系統(tǒng)、帶有氣閥與流量表的氣柜,然后接入設(shè)備。這整個(gè)系統(tǒng)中的任何一部分的泄漏都是災(zāi)難性的。外部氣體(特別是氧氣)進(jìn)入工藝氣體參加化學(xué)反應(yīng),就改變了反應(yīng)氣體的成分,也改變了期望的化學(xué)反應(yīng)。氣體的污染還可以由系統(tǒng)本身散氣而產(chǎn)生。一個(gè)典型的系統(tǒng)設(shè)有不銹鋼管道與閥門,還有聚酯材質(zhì)的部件,如接頭與密封件。對(duì)于超級(jí)潔凈系統(tǒng),不銹鋼表面還必須經(jīng)過電子拋光和(或)用真空雙層保護(hù)表面內(nèi)部的熔接點(diǎn)以減少散氣23。另一種技術(shù)就是在表面生長(zhǎng)一層氧化鐵膜,以進(jìn)一步減少散氣。這種技術(shù)一般稱為氧氣鈍化( Oxygen Passivation,OP).,要避免使用聚酯物質(zhì)。氣體柜的設(shè)計(jì)減少了可堆積污染的死角。另外潔凈焊接工藝的使用也非常重要,杜絕了焊接氣體被吸入氣體管道.、
水氣的控制也是非常重要的。水蒸氣是一種氣體,與其他污染氣體一樣,也會(huì)參與不需要的反應(yīng)。在晶圓制造廠中加I晶圓時(shí)帶有水氣是個(gè)特別問題。當(dāng)有氧氣或水分存在時(shí),硅很容易被氧化。所以控制不需要的水氣對(duì)阻止硅表面的氧化是非常重要的。水氣的上限一般是3~5 ppm。
標(biāo)來(lái)衡量:
1.純度
2.水氣含量
3.微粒
4.金屬離子
所有工藝氣體都要求極高的純度,HPA02163RGER用于氧化、濺射、等離子刻蝕、化學(xué)氣相沉積( CVD)、反應(yīng)離子刻蝕、離子注入和擴(kuò)散等工藝的氣體也有特殊要求。所有涉及化學(xué)反應(yīng)的1:藝都需要能量。如果工藝氣體被其他氣體污染,則預(yù)期的反應(yīng)就會(huì)產(chǎn)生顯著改變,或者在晶圓表面的反應(yīng)結(jié)果也產(chǎn)生改變。例如,一罐濺射工藝用氬氣里如果有氯雜質(zhì),就會(huì)導(dǎo)致生成的濺射薄膜有影響器件質(zhì)量的惡果。氣體純度由成分?jǐn)?shù)表示,純度·般從99. 99%到99. 999 999%,取決于氣體本身和該氣體在工藝中的用途。純度由小數(shù)點(diǎn)右邊9的個(gè)數(shù)表示,最高純度級(jí)別可為“6個(gè)9純度”22‘。
保持氣體從生產(chǎn)商到工藝工作臺(tái)過程中不變的純度是對(duì)晶圓制造廠的一個(gè)挑戰(zhàn)。從生產(chǎn)源開始,氣體要通過管道系統(tǒng)、帶有氣閥與流量表的氣柜,然后接入設(shè)備。這整個(gè)系統(tǒng)中的任何一部分的泄漏都是災(zāi)難性的。外部氣體(特別是氧氣)進(jìn)入工藝氣體參加化學(xué)反應(yīng),就改變了反應(yīng)氣體的成分,也改變了期望的化學(xué)反應(yīng)。氣體的污染還可以由系統(tǒng)本身散氣而產(chǎn)生。一個(gè)典型的系統(tǒng)設(shè)有不銹鋼管道與閥門,還有聚酯材質(zhì)的部件,如接頭與密封件。對(duì)于超級(jí)潔凈系統(tǒng),不銹鋼表面還必須經(jīng)過電子拋光和(或)用真空雙層保護(hù)表面內(nèi)部的熔接點(diǎn)以減少散氣23。另一種技術(shù)就是在表面生長(zhǎng)一層氧化鐵膜,以進(jìn)一步減少散氣。這種技術(shù)一般稱為氧氣鈍化( Oxygen Passivation,OP).,要避免使用聚酯物質(zhì)。氣體柜的設(shè)計(jì)減少了可堆積污染的死角。另外潔凈焊接工藝的使用也非常重要,杜絕了焊接氣體被吸入氣體管道.、
水氣的控制也是非常重要的。水蒸氣是一種氣體,與其他污染氣體一樣,也會(huì)參與不需要的反應(yīng)。在晶圓制造廠中加I晶圓時(shí)帶有水氣是個(gè)特別問題。當(dāng)有氧氣或水分存在時(shí),硅很容易被氧化。所以控制不需要的水氣對(duì)阻止硅表面的氧化是非常重要的。水氣的上限一般是3~5 ppm。
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