干氧氧化( dryox)：隨著MOS器件的引進(jìn)，對(duì)潔凈度及厚度的控制有了新的要求。MOS晶體管的心臟是柵極的結(jié)構(gòu)，OP291GS柵極的關(guān)鍵層是很薄的熱氧化層，液態(tài)水蒸氣系統(tǒng)對(duì)于生長(zhǎng)薄的、潔凈的柵氧化是不可靠的。答案是要用干氧氧化（或干蒸氣）工藝（見圖7. 27）。

   在于氧化系統(tǒng)中，氣態(tài)氧氣和氫氣直接進(jìn)入爐管。在爐管中兩種氣體混合，并在高溫的影響下形成水蒸氣，導(dǎo)致往水蒸氣中的濕氧化。于氧化系統(tǒng)提供了一個(gè)比液態(tài)系統(tǒng)改進(jìn)了的控制及潔凈度。第一，可以買到非常干凈和干燥圖7. 27“于氧”（r蒸氣）水汽源的氣體；第二…二，進(jìn)入爐管的氣體總量可以被質(zhì)量流量控制器非常精確地控制。在制造高級(jí)器件時(shí)，干氧氧化比其他氧化方法更優(yōu)越。

   于氧氧化的缺點(diǎn)是氫氣的易爆炸性。在達(dá)到氧化溫度時(shí)，氫氣非常容易爆炸�？梢杂靡�些保護(hù)措施來減少潛在的爆炸可能性。例如把進(jìn)入爐管的氧氣和氫氣管分開，并流入過量的氧氣。過量的氧氣可以保證每個(gè)氫分子(H：)和氧原子形成不爆炸的水分(H：O)。其他的防護(hù)措施還有氫氣報(bào)警，以及在氣體柜和清除機(jī)之間安裝熱燈絲，它可以在爆炸發(fā)生前就燃燒掉跑出的多余氫氣。