有機(jī)殘留物是含碳的化合物， RT9166A-33GX例如指紋中的油分。這些殘留物可以在溶劑浸泡池中被去除，例如丙酮，乙醇或TCE。一般說(shuō)來(lái)，要想將晶片表面的溶劑完全烘干非常困難，所以如果可能，會(huì)盡量避免用溶劑清洗晶圓。另外，溶劑經(jīng)常會(huì)有雜質(zhì)，從而使其本身成為污染源．

   無(wú)機(jī)殘留物是那些不含碳的物質(zhì)，這樣的例子有無(wú)機(jī)酸，如鹽酸，氫氟酸。它們會(huì)在晶片制造的其他I：序中介紹。關(guān)于晶圓表面有機(jī)物和無(wú)機(jī)物的去除，有一系列的清洗方案，將在F面的部分介紹。

   化學(xué)清洗方案

   半導(dǎo)體工業(yè)中存在大范圍的清洗工藝。每個(gè)制造區(qū)域?qū)τ谇鍧嵍扔兄煌男枰矊?duì)不同的清洗方案有著不同的經(jīng)驗(yàn)。在這一小節(jié)中描述的清洗方案是那些最常用的類型。當(dāng)然，在不同的晶圓制造區(qū)域，它們又將有多種變化或是方案的多種不同組合。在這里描述的是在摻雜、淀積和金屬淀積前晶圓的清洗工藝（光刻膠的去除這一特例將在第8章中講解）。

   液體的化學(xué)清洗工藝通常稱為濕法工藝( wet process)或濕法清洗(wet cleaning)。浸泡型清洗在嵌入清洗臺(tái)的臺(tái)板上的玻璃、石英或是聚四氟乙烯的槽子中進(jìn)行（見第4章）。如果一種清洗液需要加熱，那么槽子會(huì)坐落在一個(gè)加熱盤上，周圍被加熱用的電阻絲纏繞或者其內(nèi)部有一個(gè)浸入式加熱器�；瘜W(xué)品也可用于噴灑，應(yīng)用于直接沖擊或離心分離設(shè)備中.