晶片刷洗器
發(fā)布時(shí)間:2015/10/27 20:31:38 訪問(wèn)次數(shù):569
晶圓外延生長(zhǎng)對(duì)于晶圓清潔程度的嚴(yán)格要求導(dǎo)致了機(jī)械式晶圓表面洗刷器的開(kāi)發(fā)。 RT9166A-12PX同時(shí)這一方法也被用在非常關(guān)鍵的顆粒去除中(見(jiàn)圖5. 26)。
刷洗器將晶圓承載在一個(gè)旋轉(zhuǎn)的真空吸盤(pán)上。在一般去離子水直接沖洗晶圓表面的同時(shí),一個(gè)旋轉(zhuǎn)的刷子近距離地接觸旋轉(zhuǎn)的晶圓。刷子和晶圓旋轉(zhuǎn)的結(jié)合在晶圓表面產(chǎn)生r高能量的清洗動(dòng)作。液體被迫進(jìn)入晶圓表面和刷子末端之間極小的空間,從而達(dá)到很高的速度,以輔助清洗。必須注意的是,要保持刷子和清洗液管道的清潔以防止二次污染。另外,刷子到晶圓的距離要保持一定以防止在晶圓表面造成劃痕。
在去離子水中加入表面活性劑可以提高清洗的效果,同時(shí)防止靜電的形成。在某些應(yīng)用中,稀釋的氨水被用做清洗液以防止在刷子}:形成顆粒,同時(shí)控制系統(tǒng)中的z電勢(shì)刷洗器可以設(shè)計(jì)‘為有自動(dòng)j二/F料功能的獨(dú)立操作單位,也可以設(shè)計(jì)為其他設(shè)備的一部分,在工藝過(guò)程前自動(dòng)執(zhí)行對(duì)晶片的清洗。
高壓水清洗
對(duì)由于靜電作用附著的顆粒去除首先成為玻璃和鉻光刻掩模版的清洗。于是開(kāi)發(fā)了高壓水噴灑清洗。將一注小的水流施加2000~4000 psi的壓力,水流連續(xù)不斷地噴灑掩膜或晶片的表面,除去大小不一的顆粒。在水流中經(jīng)常加入少劑量的表面活性劑作
為去靜電劑。
晶圓外延生長(zhǎng)對(duì)于晶圓清潔程度的嚴(yán)格要求導(dǎo)致了機(jī)械式晶圓表面洗刷器的開(kāi)發(fā)。 RT9166A-12同時(shí)這一方法也被用在非常關(guān)鍵的顆粒去除中(見(jiàn)圖5. 26)。
刷洗器將晶圓承載在一個(gè)旋轉(zhuǎn)的真空吸盤(pán)上。在一般去離子水直接沖洗晶圓表面的同時(shí),一個(gè)旋轉(zhuǎn)的刷子近距離地接觸旋轉(zhuǎn)的晶圓。刷子和晶圓旋轉(zhuǎn)的結(jié)合在晶圓表面產(chǎn)生r高能量的清洗動(dòng)作。液體被迫進(jìn)入晶圓表面和刷子末端之間極小的空間,從而達(dá)到很高的速度,以輔助清洗。必須注意的是,要保持刷子和清洗液管道的清潔以防止二次污染。另外,刷子到晶圓的距離要保持一定以防止在晶圓表面造成劃痕。
在去離子水中加入表面活性劑可以提高清洗的效果,同時(shí)防止靜電的形成。在某些應(yīng)用中,稀釋的氨水被用做清洗液以防止在刷子}:形成顆粒,同時(shí)控制系統(tǒng)中的z電勢(shì)刷洗器可以設(shè)計(jì)‘為有自動(dòng)j二/F料功能的獨(dú)立操作單位,也可以設(shè)計(jì)為其他設(shè)備的一部分,在工藝過(guò)程前自動(dòng)執(zhí)行對(duì)晶片的清洗。
高壓水清洗
對(duì)由于靜電作用附著的顆粒去除首先成為玻璃和鉻光刻掩模版的清洗。于是開(kāi)發(fā)了高壓水噴灑清洗。將一注小的水流施加2000~4000 psi的壓力,水流連續(xù)不斷地噴灑掩膜或晶片的表面,除去大小不一的顆粒。在水流中經(jīng)常加入少劑量的表面活性劑作
為去靜電劑。
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