晶圓外延生長對于晶圓清潔程度的嚴(yán)格要求導(dǎo)致了機(jī)械式晶圓表面洗刷器的開發(fā)。 RT9166A-12同時(shí)這一方法也被用在非常關(guān)鍵的顆粒去除中（見圖5. 26）。

   刷洗器將晶圓承載在一個(gè)旋轉(zhuǎn)的真空吸盤上。在一般去離子水直接沖洗晶圓表面的同時(shí)，一個(gè)旋轉(zhuǎn)的刷子近距離地接觸旋轉(zhuǎn)的晶圓。刷子和晶圓旋轉(zhuǎn)的結(jié)合在晶圓表面產(chǎn)生r高能量的清洗動(dòng)作。液體被迫進(jìn)入晶圓表面和刷子末端之間極小的空間，從而達(dá)到很高的速度，以輔助清洗。必須注意的是，要保持刷子和清洗液管道的清潔以防止二次污染。另外，刷子到晶圓的距離要保持一定以防止在晶圓表面造成劃痕。

   在去離子水中加入表面活性劑可以提高清洗的效果，同時(shí)防止靜電的形成。在某些應(yīng)用中，稀釋的氨水被用做清洗液以防止在刷子}：形成顆粒，同時(shí)控制系統(tǒng)中的z電勢刷洗器可以設(shè)計(jì)‘為有自動(dòng)j二／F料功能的獨(dú)立操作單位，也可以設(shè)計(jì)為其他設(shè)備的一部分，在工藝過程前自動(dòng)執(zhí)行對晶片的清洗。

   高壓水清洗

   對由于靜電作用附著的顆粒去除首先成為玻璃和鉻光刻掩模版的清洗。于是開發(fā)了高壓水噴灑清洗。將一注小的水流施加2000~4000 psi的壓力，水流連續(xù)不斷地噴灑掩膜或晶片的表面，除去大小不一的顆粒。在水流中經(jīng)常加入少劑量的表面活性劑作

為去靜電劑。