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氧化率的影響

發(fā)布時(shí)間:2015/10/28 21:01:30 訪問次數(shù):823

   原始的氧化厚度與時(shí)間的曲線是由<111)晶格方向及未摻雜的晶圓所決定的。4 J。MOS器件是在摻雜后的(100>晶格方向的晶圓表面…l制造的。K4M56163PF-BG75這兩個(gè)因素在特定的溫度和氧化劑環(huán)境中影響氧化率。其他影響氧化率的因素包括在多晶硅層中有意地使氧化物和氧化不純,如加入氯化氫。

    

   晶格方向:晶格方向?qū)ρ趸L(zhǎng)率有影響。<111)晶圓比<100)晶圓有更多的原子。更大量的原子使得氧化層生長(zhǎng)得更快。圖7. 13表示兩個(gè)不同的晶格方向在水蒸氣中有不同的氧化生長(zhǎng)率:這種不同在低溫時(shí)的線性階段表現(xiàn)得尤為突出。


   原始的氧化厚度與時(shí)間的曲線是由<111)晶格方向及未摻雜的晶圓所決定的。4 J。MOS器件是在摻雜后的(100>晶格方向的晶圓表面…l制造的。K4M56163PF-BG75這兩個(gè)因素在特定的溫度和氧化劑環(huán)境中影響氧化率。其他影響氧化率的因素包括在多晶硅層中有意地使氧化物和氧化不純,如加入氯化氫。

    

   晶格方向:晶格方向?qū)ρ趸L(zhǎng)率有影響。<111)晶圓比<100)晶圓有更多的原子。更大量的原子使得氧化層生長(zhǎng)得更快。圖7. 13表示兩個(gè)不同的晶格方向在水蒸氣中有不同的氧化生長(zhǎng)率:這種不同在低溫時(shí)的線性階段表現(xiàn)得尤為突出。


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