淀積薄膜中最常用的方法是CVD，其在器件或電路中的作用為絕緣體或絕緣介質(zhì)，應(yīng)用HCPL4504-500E廣泛的兩種薄膜是二氧化硅和氮化硅，通常，‘在器件和電路的設(shè)計(jì)中，它們的用途具有多樣性。雖然存在工藝和質(zhì)量上的差異，但它們可以滿(mǎn)足與其他淀積膜類(lèi)似的綜合性要求。

   二氧化硅

   淀積的二氧化硅膜是作為覆蓋整個(gè)晶圓的最終一層鈍化膜，這一點(diǎn)在長(zhǎng)期的應(yīng)用中已成為共識(shí)。作為鈍化膜，它們起到對(duì)電路器件和組件的物理及化學(xué)性能上的保護(hù)。

   人們熟知的用來(lái)作為頂層保護(hù)層的淀積二氧化硅膜有Vapox，Pyrox或Silox等術(shù)語(yǔ)。Vapox（氣相淀積的氧化膜）是由仙童(Fairchild)公司工程師創(chuàng)造的術(shù)語(yǔ)。Pyrox代表Pyroliti‘‘氧化物。Silox是應(yīng)用材料(Applied Materials)公司注冊(cè)的商標(biāo)，有時(shí)該層簡(jiǎn)稱(chēng)為玻璃。隨著保護(hù)作用的擴(kuò)展，在多層金屬結(jié)構(gòu)中，淀積的二氧化硅作為多層金屬設(shè)計(jì)中的中間絕緣層、多晶硅和金屬之間的絕緣層、摻雜阻擋層，以及擴(kuò)散源隔離區(qū)域。二氧化硅已經(jīng)成為硅一柵結(jié)構(gòu)中的主要組成部分。

   有由熱氧化物或二氧化硅或氮氧化物／二氧化硅（采用TEOS淀枳）組成的柵堆疊和在多層金屬設(shè)計(jì)中的連接孔的各種二氧化硅填充29 。