上面介紹的四探針測(cè)試儀方法主要用于測(cè)量晶圓摻到晶體的電阻率。同時(shí)，AD8313ARM-T它也可以測(cè)量由摻雜工藝摻到晶圓表面的薄摻雜層的電阻率。當(dāng)用四探針測(cè)試儀測(cè)量摻雜層時(shí)，電流被限制在薄層內(nèi)（見圖14.3）。這里所說的薄層是指層厚比探針之間的距離小的生長(zhǎng)層。

   在薄膜卜測(cè)量的電性能稱為方塊電阻（sheet resistance，尺，），單位是歐姆每單位面積（∥口）。這個(gè)概念可以通過比較兩塊同樣厚度相同材料的電阻來理解（見圖14.4）。因?yàn)殡娮杪蕄都是相同的，并且厚度(r)也相同，丁，=疋，因此每個(gè)塊方塊電阻也是相同的。也就是說，對(duì)于相同材料的任意面積的薄膜，其電阻是一個(gè)常數(shù)。

   方塊電阻與電流、電壓之間的關(guān)系式如下所示：這里“4. 53”是由探針距離引起的常數(shù)。．一些公司計(jì)算時(shí)直接從公式中忽略該值，而僅僅測(cè)量晶圓的V//值，如圖14.5所示。圖14.4“方塊”電阻    圖14.5電壓／電流與鋁層厚度的美系圖