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    飛利浦電子公司日前宣布其0.18微米cmos嵌入式閃存/eeprom技術(shù)現(xiàn)已完全符合grade-1汽車電子應(yīng)用的需求，而其0.14微米嵌入式閃存/eeprom已開(kāi)始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進(jìn)行量產(chǎn)，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產(chǎn)要求的工廠。飛利浦表示，這兩項(xiàng)最新的發(fā)展是飛利浦產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃中的重要里程碑，表明其低功耗閃存/eeprom技術(shù)已擴(kuò)展到90納米cmos及更先進(jìn)的水平。

    嵌入式閃存和eeprom存儲(chǔ)器已成為當(dāng)今許多片上系統(tǒng)解決方案的一個(gè)重要組成部分。它不但提供了在生產(chǎn)線上用不同的軟件對(duì)這些芯片進(jìn)行編程或進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)軟件升級(jí)的能力，還實(shí)現(xiàn)了對(duì)重要的本地?cái)?shù)據(jù)例如pin密碼或地址簿信息的存儲(chǔ)，并且可以在設(shè)備斷電的時(shí)候保留這些數(shù)據(jù)。典型的應(yīng)用包括手機(jī)、電視機(jī)、mp3播放器和智能卡、以及電線驅(qū)動(dòng)的汽車電子系統(tǒng)。

    飛利浦半導(dǎo)體嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)戰(zhàn)略規(guī)劃經(jīng)理（strategic program manager）frans list表示：“新的以及已經(jīng)問(wèn)世的片上系統(tǒng)解決方案所具有的向更先進(jìn)的處理工藝發(fā)展的能力不應(yīng)該因?yàn)槿狈线m的嵌入式存儲(chǔ)器選擇而受到阻礙。通過(guò)開(kāi)發(fā)為嵌入到高性能cmos工藝而優(yōu)化的低功耗非易失性技術(shù)，我們有信心我們的閃存和eeprom解決方案能夠在未來(lái)至少兩代cmos處理技術(shù)中具有競(jìng)爭(zhēng)力�！�

    gartner dataquest半導(dǎo)體研究副總裁mike williams表示：“對(duì)于下一代汽車電子應(yīng)用而言，大量的市場(chǎng)將要求整體價(jià)格的降低和體積的減小，從而通過(guò)oem模式來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品提升。飛利浦為嵌入式閃存和eeprom開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)結(jié)合了低功耗和可擴(kuò)展性，使得客戶能夠簡(jiǎn)化下一代設(shè)計(jì)平臺(tái)并取得顯著的成本效益�！�