多晶硅柵極( polycide MOS gate)：金屬氧化物半導(dǎo)體中的一種常見(jiàn)的￡明治柵極結(jié)構(gòu)，在DM74LS374N氧化硅的表面卜有一層多晶硅，在多晶硅的表面再覆蓋一層不易熔的金屬層，多晶硅（polycrystalline silicon）：具有很多短程有序晶體『巾．整體無(wú)序的硅結(jié)構(gòu)．聚合物( polymer)：有很多重復(fù)結(jié)構(gòu)組成的有機(jī)物的聚合物。正膠( positive resist)：光刻膠的一種，這種光刻膠在接觸到光線被曝光之后，在后續(xù)的顯影工藝中會(huì)被去掉，沒(méi)有被曝光的部分在顯影之后會(huì)被保留下來(lái)。對(duì)于光刻掩模版的圖案，應(yīng)用正膠可以得到掩模版的正片圖像。

   曝光后烘焙( post exposure bake)：在曝光工藝完成后為了減少圖案駐波影響而采用的烘焙】：藝預(yù)淀積( predeposition)：在對(duì)半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行定量摻雜時(shí)的一個(gè)1：藝步驟．底膠( primer chemical)：為r增強(qiáng)確定薄膜的黏合度而加入的化學(xué)品（在半導(dǎo)體r藝中，這種需要增強(qiáng)的薄膜通常是光刻膠）。

   工藝設(shè)備( process tool)：用于晶圓制造的工藝設(shè)備和系統(tǒng)的術(shù)語(yǔ)。投影光刻( projection alignment)：在光刻工藝中，使用光學(xué)方法將掩模版上的圖案投影到 圓f：這種方法可以防止掩模版和光刻膠涂層的損壞，同時(shí)又具有與接觸式光刻方法同樣的生產(chǎn)率，．在大規(guī)模集成電路和VLSI集成電路生產(chǎn)中，這種投影方法是標(biāo)準(zhǔn)方法投影光刻機(jī)( projection aligner)：通過(guò)光線投影的方法進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移的機(jī)器。可編程只讀存儲(chǔ)器( Programmable Read-Only Memory，PROM): -種只瀆存儲(chǔ)器，在仔儲(chǔ)器陣列中每個(gè)單元電路都具有熔絲，通過(guò)將某些熔絲燒斷，可以對(duì)用戶(hù)特定的信接近式光刻機(jī)( proximity aligner)：在顯影過(guò)程中，將掩模版和晶圓保持很近距離的1種平板光刻機(jī).