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PNP型晶體管

發(fā)布時間:2015/11/17 19:33:36 訪問次數:1513

   射卜曝光.被曝光(或沒有被曝光,取決于它們的極性)后的光刻膠在顯影步驟中被洗掉,DM74LS14N從而在晶圓表面廣:生光刻膠圖案,后續(xù)的工藝如刻蝕等在不被光刻膠保護的表面進行  又稱為光敏抗蝕劑,針孔( pinhole):在光刻膠中或在掩模版不透光部分中的小孔洞針柵陣列封裝( Pin Grid Array,PGA):器件封裝的一種,器件底座卜伸出許多個針形的管 鷹,器件在封裝內‘0這些針形管鷹相連。平面結構( planar structure):通過擴散和氧化在硅片的表面形成的平面結構的器件平坦化( planarization):在制造丁藝中,通過熱流程、有機層或化學機械拋光技術對晶圈表面的乎整化等離子體( plasma):微粒經過離子化形成的高能量氣體,等離子體增強化學氣相淀積( plasma-enhanced CVD):  一種通過等離子體能量來進行淀積的化學氣相淀積系統(tǒng)、等離子體刻蝕( plasma etch):通過等離子體能量增強的反應氣體進行f法刻蝕的r:藝塑封( plastic package):參見molded package。

   通孔塞[ plug,(via plug)]:在多層金屬工藝中,在連接不同層金屬時的通孔中淀積金屬(通常是難熔的金屬)形成接線柱,P溝道金屬氧化物半導體( PMOS):金屬氧化物半導體場效應管的一種,導電溝道中的多數載流子為空穴。

   PNP型晶體管(PNP):在兩個P型區(qū)域中夾著一個N型區(qū)域的半導體結構,常見的雙極剖器件的一種。

   射卜曝光.被曝光(或沒有被曝光,取決于它們的極性)后的光刻膠在顯影步驟中被洗掉,DM74LS14N從而在晶圓表面廣:生光刻膠圖案,后續(xù)的工藝如刻蝕等在不被光刻膠保護的表面進行  又稱為光敏抗蝕劑,針孔( pinhole):在光刻膠中或在掩模版不透光部分中的小孔洞針柵陣列封裝( Pin Grid Array,PGA):器件封裝的一種,器件底座卜伸出許多個針形的管 鷹,器件在封裝內‘0這些針形管鷹相連。平面結構( planar structure):通過擴散和氧化在硅片的表面形成的平面結構的器件平坦化( planarization):在制造丁藝中,通過熱流程、有機層或化學機械拋光技術對晶圈表面的乎整化等離子體( plasma):微粒經過離子化形成的高能量氣體,等離子體增強化學氣相淀積( plasma-enhanced CVD):  一種通過等離子體能量來進行淀積的化學氣相淀積系統(tǒng)、等離子體刻蝕( plasma etch):通過等離子體能量增強的反應氣體進行f法刻蝕的r:藝塑封( plastic package):參見molded package。

   通孔塞[ plug,(via plug)]:在多層金屬工藝中,在連接不同層金屬時的通孔中淀積金屬(通常是難熔的金屬)形成接線柱,P溝道金屬氧化物半導體( PMOS):金屬氧化物半導體場效應管的一種,導電溝道中的多數載流子為空穴。

   PNP型晶體管(PNP):在兩個P型區(qū)域中夾著一個N型區(qū)域的半導體結構,常見的雙極剖器件的一種。

相關技術資料
11-17PNP型晶體管

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