利用某些物質(zhì)的電光效應(yīng)可以制成電光器件，具有電光效應(yīng)的光學(xué)介質(zhì)受到外電場作用時(shí)，H7N1004DS它的折射率將隨著外電場變化。因此，光在晶體中傳播的性質(zhì)可用電場對光學(xué)介質(zhì)折射率的影響來描述。

   電光效應(yīng)有兩種：一種是外電場作用在壓電晶體上時(shí)，使晶體產(chǎn)生非對稱性，從而使通過該晶體的光束產(chǎn)生雙折射，雙折射率的差與外電場強(qiáng)度的一次方成正比，稱為泡克耳斯( Pochels)效應(yīng)，也稱一次電光效應(yīng)；另一種是某些各向同性的介質(zhì)，在強(qiáng)場的作用下變成各向異性，光束通過這些介質(zhì)會產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象，雙折射率的差與外電場強(qiáng)度的平方成正比，稱為克爾( Kerr)效應(yīng)。

   利用克爾效應(yīng)制成的調(diào)制器稱為克爾盒，如圖3.11 (a)所示；利用泡克耳斯效應(yīng)制成的調(diào)制器稱為泡克耳斯盒，其中的光學(xué)介質(zhì)為非中心對稱的壓電晶體。泡克耳斯盒又可分為縱向和橫向調(diào)制器兩種，它們在光路中的放置如圖3.11 (b)和(c)所示。