交流變換等效電路及圖解計(jì)算
發(fā)布時(shí)間:2016/1/24 20:30:39 訪問(wèn)次數(shù):1432
由伏安特性可以看到,對(duì)于較GL2574A-ASF8R小的入射光通量,開路電壓輸出變化較大,這對(duì)弱光信號(hào)的檢測(cè)特別有利,但光電池開路電壓與入射光功率呈非線性關(guān)系,同時(shí)受溫度影響大,其頻率特性也不理想,如果希望得到大的電壓輸出,則不如采用光電二極管或光電三極管。
若用硅光電池檢測(cè)交流光信號(hào),可采用圖5.16 (a)所示的交流變換等效電路。圖中風(fēng)為靜態(tài)條件下的負(fù)載電阻與結(jié)電容C的并聯(lián),RL為后級(jí)光電信號(hào)放大器的等效輸入阻抗。
圖5.16交流變換等效電路及圖解計(jì)算
為了分析方便,設(shè)入射光照度為正弦脈動(dòng)形式,即E= Eo+Em sin cot,則光信號(hào)照度以島為平均值在最大值島+ Em和最小值Eo- Em之間脈動(dòng)。
設(shè)Rm為Eo+ Ern光照度下的最佳負(fù)載電阻,由于硅光電池作為線性檢測(cè)或變換,故硅光電池的工作狀態(tài)必須選擇在光電流線性工作區(qū),即圖5.15(b)中的I和III區(qū)域,這時(shí)要求
R//RL< Rm
所以工作情況同樣也可以分為電流輸出和電壓輸出狀態(tài)。
在電流輸出狀態(tài),要求墨<風(fēng),以使負(fù)載RL上能得到更大的電流輸出,同肘又能獲得更好的線性和頻率特性。如果需放大光信號(hào),則放大器應(yīng)選用輸入阻抗(與負(fù)載RL等效)低的電流放大器。
由伏安特性可以看到,對(duì)于較GL2574A-ASF8R小的入射光通量,開路電壓輸出變化較大,這對(duì)弱光信號(hào)的檢測(cè)特別有利,但光電池開路電壓與入射光功率呈非線性關(guān)系,同時(shí)受溫度影響大,其頻率特性也不理想,如果希望得到大的電壓輸出,則不如采用光電二極管或光電三極管。
若用硅光電池檢測(cè)交流光信號(hào),可采用圖5.16 (a)所示的交流變換等效電路。圖中風(fēng)為靜態(tài)條件下的負(fù)載電阻與結(jié)電容C的并聯(lián),RL為后級(jí)光電信號(hào)放大器的等效輸入阻抗。
圖5.16交流變換等效電路及圖解計(jì)算
為了分析方便,設(shè)入射光照度為正弦脈動(dòng)形式,即E= Eo+Em sin cot,則光信號(hào)照度以島為平均值在最大值島+ Em和最小值Eo- Em之間脈動(dòng)。
設(shè)Rm為Eo+ Ern光照度下的最佳負(fù)載電阻,由于硅光電池作為線性檢測(cè)或變換,故硅光電池的工作狀態(tài)必須選擇在光電流線性工作區(qū),即圖5.15(b)中的I和III區(qū)域,這時(shí)要求
R//RL< Rm
所以工作情況同樣也可以分為電流輸出和電壓輸出狀態(tài)。
在電流輸出狀態(tài),要求墨<風(fēng),以使負(fù)載RL上能得到更大的電流輸出,同肘又能獲得更好的線性和頻率特性。如果需放大光信號(hào),則放大器應(yīng)選用輸入阻抗(與負(fù)載RL等效)低的電流放大器。
上一篇:光電池偏置電路
上一篇:硅光電池的光電變換電路
熱門點(diǎn)擊
- 熱敏電阻溫度補(bǔ)償電路
- 繼電器線圈的使用電壓
- 交流變換等效電路及圖解計(jì)算
- 設(shè)置參數(shù)P0100
- 伏探測(cè)器的工作模式
- 輸出功率與功率因數(shù)
- 制動(dòng)情況
- 鼓風(fēng)控制
推薦技術(shù)資料
- 650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先8英寸硅基氮化鎵技術(shù)工
- 新一代600V超級(jí)接面MOSFET KP38
- KEC 第三代SuperJunction M
- KEC半導(dǎo)體650V碳化硅(SiC)肖特基二
- Arrow Lake U 系列
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究