硅靶是由大量微小的光電二板管的陣列構(gòu)成的，其結(jié)構(gòu)和工作原理如圖7.14所示。極FDLL4148薄的N型硅片的一面經(jīng)拋光、氧化而形成一層絕緣良好的二氧化硅( Si02)膜。用光刻技術(shù)在膜上刻出圓形窗孔陣列（一英寸管有近50萬個(gè)窗孔），通過窗孔將硼擴(kuò)散入硅基片，形成P型島陣列。每個(gè)P型島與N型基片構(gòu)成‘個(gè)PN結(jié)光電二極管，而每個(gè)光電二極管被Si02膜隔開，形成一個(gè)單獨(dú)的像素。這樣N型硅片的一面為N+層，另。面為P型島陣列，構(gòu)成具有40多萬個(gè)像素的硅靶。為使電子束掃描時(shí)不在電阻率很高的Si02膜上積累電荷而影響掃描電子束上靶的工作，可以給各P型島加上相互絕緣的金屬導(dǎo)電層，使每個(gè)二極管的導(dǎo)電電極有盡可能大的面積；或者在整個(gè)靶面上蒸發(fā)一層半絕緣性質(zhì)的電阻層（如CdTe電阻層），使電荷可以流向各個(gè)光電二極管。