伏安特性和發(fā)光亮度與電流關(guān)系
發(fā)布時(shí)間:2016/1/20 19:00:15 訪問次數(shù):2713
伏安特性和發(fā)光亮度與電流關(guān)系。發(fā)光二極管的伏安特性(電流一電壓特性)曲線和普通的二極管相似,如圖2.10所示。對于正向特性, NE555D電壓在開啟點(diǎn)以前幾乎沒有電流;電壓超過開啟點(diǎn)就顯示出歐姆導(dǎo)通特性,這時(shí)正向電流,m為復(fù)合因子,它標(biāo)志器件發(fā)光特性的好壞,1≤m≤2。工作電流一般為5~50 mA。電流的進(jìn)一步增加會引起發(fā)光二極管輸出光強(qiáng)飽和,直至損壞器件。因此,在典型的偏置電路申,串聯(lián)電阻使通過發(fā)光二極管的電流不會超過允許值。開啟點(diǎn)隨半導(dǎo)體材料的不同而不同,如GaAs約為1V,GaP為1.8~2V。在發(fā)光工作狀態(tài),壓降為0.3~0.5 V。
對于反向特性,只有很小的反向電流流過管子,當(dāng)反向電壓加大到一定程度時(shí),反向電流突然增大,出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象。要不使發(fā)光二極管因反向電流過大而燒壞,只需接上一只保護(hù)二極管即可,如圖2.11所示,發(fā)光二極管的反向擊穿電壓一般在-5 V以上。如果用脈沖供電,只要平均電流不超過最大值,最大峰值電流就可以更大些,從而得到更高的發(fā)光強(qiáng)度。
圖2.10發(fā)光二極管的伏安特性 圖2.11簡單的發(fā)光二極管偏置電路
發(fā)光二極管翟PN結(jié)通以正向電流時(shí),發(fā)光亮度基本上與正向電流密度成線性關(guān)系,這個(gè)電流范圍在幾十毫安以內(nèi)。電流的迸一步增加會引起發(fā)光二極管發(fā)光亮度飽和,直至損壞器件。因此,使用時(shí)應(yīng)控制正向電流密度,圖2.12所示為幾種發(fā)光二極管的光出射度Me與電流密度/的關(guān)系。
伏安特性和發(fā)光亮度與電流關(guān)系。發(fā)光二極管的伏安特性(電流一電壓特性)曲線和普通的二極管相似,如圖2.10所示。對于正向特性, NE555D電壓在開啟點(diǎn)以前幾乎沒有電流;電壓超過開啟點(diǎn)就顯示出歐姆導(dǎo)通特性,這時(shí)正向電流,m為復(fù)合因子,它標(biāo)志器件發(fā)光特性的好壞,1≤m≤2。工作電流一般為5~50 mA。電流的進(jìn)一步增加會引起發(fā)光二極管輸出光強(qiáng)飽和,直至損壞器件。因此,在典型的偏置電路申,串聯(lián)電阻使通過發(fā)光二極管的電流不會超過允許值。開啟點(diǎn)隨半導(dǎo)體材料的不同而不同,如GaAs約為1V,GaP為1.8~2V。在發(fā)光工作狀態(tài),壓降為0.3~0.5 V。
對于反向特性,只有很小的反向電流流過管子,當(dāng)反向電壓加大到一定程度時(shí),反向電流突然增大,出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象。要不使發(fā)光二極管因反向電流過大而燒壞,只需接上一只保護(hù)二極管即可,如圖2.11所示,發(fā)光二極管的反向擊穿電壓一般在-5 V以上。如果用脈沖供電,只要平均電流不超過最大值,最大峰值電流就可以更大些,從而得到更高的發(fā)光強(qiáng)度。
圖2.10發(fā)光二極管的伏安特性 圖2.11簡單的發(fā)光二極管偏置電路
發(fā)光二極管翟PN結(jié)通以正向電流時(shí),發(fā)光亮度基本上與正向電流密度成線性關(guān)系,這個(gè)電流范圍在幾十毫安以內(nèi)。電流的迸一步增加會引起發(fā)光二極管發(fā)光亮度飽和,直至損壞器件。因此,使用時(shí)應(yīng)控制正向電流密度,圖2.12所示為幾種發(fā)光二極管的光出射度Me與電流密度/的關(guān)系。
熱門點(diǎn)擊
- 光學(xué)調(diào)制盤
- 伏安特性和發(fā)光亮度與電流關(guān)系
- 電感線圈在幾種電路中的作用
- 集成電路的技術(shù)參數(shù)
- 后級功率放大電路中使用的互補(bǔ)推挽對管
- FR- A700系列變頻器的功能特點(diǎn)
- 本征光電導(dǎo)上升和下降的弛豫過程
- 變壓器的輸出動率和輸入功率的比值
- 制動電阻的選擇
- 逆變器和整流回饋單元的選型
推薦技術(shù)資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機(jī)會我結(jié)識了NE0 2511,那是一個(gè)遠(yuǎn)方的... [詳細(xì)]
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級汽車壓力傳感器信號調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導(dǎo)通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究