圖7.23所示是一維LCCD三相單溝道線陣CCD的結構原理圖。

   由圖可知， R144EFXLR6664-12單溝道線陣CCD由光敏陣列、轉(zhuǎn)移柵、CCD模擬移位寄存器和輸出放大器等構成。光敏陣列一般由光柵控制的MOS光積分電容或PN結光電二極管構成，光敏陣列與CCD模擬移位寄存器之間通過轉(zhuǎn)移柵相連，轉(zhuǎn)移柵既可以將光敏區(qū)與模擬移位寄存器分隔開來，又可以將光敏區(qū)與模擬移位寄存器溝通，使光敏區(qū)積累的電荷信號轉(zhuǎn)移到模擬移位寄存器中。通過加在轉(zhuǎn)移柵上的控制脈沖，完成光敏區(qū)與模擬移位寄存器隔離與溝通的控制。當轉(zhuǎn)移柵上的電位為高電平時，二者溝通；當轉(zhuǎn)移柵上的電平為低電平時，二者隔離。二者隔離時，光敏區(qū)再進行光電注入，光敏單元不斷地積累電荷。有時將光敏單元積累電荷的這段時間稱為光積分時間。轉(zhuǎn)移柵電極電壓為高電平時，光敏區(qū)所積累的信號電荷將轉(zhuǎn)移柵轉(zhuǎn)移到CCD模擬移位寄存器中。通常轉(zhuǎn)移柵電極為高電平的時間很短，為低電平的時間很長，因而光積分時間要遠遠超過轉(zhuǎn)移時間。在光積分時間里，CCD模擬移位寄存器在三相交疊脈沖的作用下一位位地移出器件，經(jīng)輸出放大器形成時序倍號（或稱視頻信號）。

   這種結構的線陣CCD轉(zhuǎn)移次數(shù)多，效率低，調(diào)制傳遞函數(shù)MTF較差，只適用于光敏單元較少的攝像器件。