硅光電二極管兩端電壓，是非線性函數(shù)，可利用圖解法進行計算。如圖5.28 (c)所示， H5PS1G63EFR-Y5C在伏安特性曲線上畫出負載線U(/)=饑- /RL，它是一條斜率為- 1/RL.通過U=饑點的直線，與縱軸交于既/RL點。由于串聯(lián)回路中流過各回路元件的電流相等，負載線和對應于輸入光通量為哦時的器件伏安特性曲線的交點Q即為輸入電路的靜態(tài)工作點。當輸入光通量由哦改變士△函時，在負載電阻RL上會產(chǎn)生+AU的電壓信號輸出和土Ⅳ的電流信號輸出。

   上述圖解法特別適用于大信號狀態(tài)下的電路分析。例如，在大信號檢測情況下可以定性地看到輸出信號的波形畸變；在用作光電開關的情況下可以借助圖解法合理地選擇電路參數(shù)，使之能可靠地開關，同時保證不使器件超過其最大工作電流、最大工作電壓和最大耗散動率。圖5.29給出了輸入電路參數(shù)RL和既對輸出信號的影響。在圖5.29 (a)中，當偏置電壓Ub不變時，對于同樣的輸入光通量哦士△多，負載電阻R的減小會增大輸出信號電流而使輸出電壓減小。但RL的減小會受到最大工作電流和功耗的限制。為了提高輸出信號電壓，應增大RL，但過大的RL會使負載線越過特性曲線的轉(zhuǎn)折點M而進入非線性區(qū)，而在非線性區(qū)，光電靈敏度Se= A//A<P不再是常數(shù)，這會使輸出信號的波形發(fā)生畸變。另外，在圖5.29 (b)中，對應于相同的RL值，當偏置電壓饑增大時，輸出信號電壓的幅度也隨之增大，并且線性度得到改善；但電路的功耗隨之加大，并且過大的偏置電壓會引起光電二極管的反向擊穿。利用圖解法確定輸入電路的負載電阻RL和反向偏壓‰值時，應根據(jù)輸入光通量的變化范圍和輸出信號的幅度要求使負載線稍高于轉(zhuǎn)折點M,以便得到不失真的最大電壓輸出，同時保證乩不大于器件的最大工作電壓Um。