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電容CGD也被充放電

發(fā)布時(shí)間:2016/1/31 18:52:58 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):451

   當(dāng)水平移位寄存器發(fā)出脈沖驅(qū)動(dòng)水平方向各MOS開(kāi)關(guān)工作時(shí),由于電容CGD也被充放電, MAX4310ESA+T則輸出會(huì)產(chǎn)生尖峰脈沖,如圖7.45 (b)所示。信號(hào)的成分比尖峰脈沖小,尖峰脈沖的寬度是一定的,其包絡(luò)線(xiàn)的變化表現(xiàn)為固定圖像噪聲,在圖像的垂直方向出現(xiàn)豎條干擾。為了抑制這種固定圖像噪聲采用圖7.45 (c)所示積分電路。攝像單元的輸出信號(hào)經(jīng)預(yù)放后加至積分電路。該信號(hào)成分包含尖峰脈沖信號(hào),晶體管的集電極電容C,在積分脈沖的一個(gè)周期內(nèi)積分,正負(fù)一對(duì)尖峰脈沖田面積相等,通過(guò)積分電路后被除掉。這時(shí)信號(hào)成分的電荷,僅由集電結(jié)電容積累。該信號(hào)電荷是在行積分脈沖的最后瞬間通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)被讀出。已有證明附加這樣一個(gè)簡(jiǎn)單的FPN抑制電路可使CMOS攝像器件的信號(hào)與固定圖像噪聲之比( S/FPN)由原來(lái)無(wú)抑制電路的46 dB提高到68 dB。同樣條件下,信號(hào)峰值與隨機(jī)均方根噪聲之比為66 dB,可見(jiàn)固定圖像噪聲消除電路有明顯效果。

    

   當(dāng)水平移位寄存器發(fā)出脈沖驅(qū)動(dòng)水平方向各MOS開(kāi)關(guān)工作時(shí),由于電容CGD也被充放電, MAX4310ESA+T則輸出會(huì)產(chǎn)生尖峰脈沖,如圖7.45 (b)所示。信號(hào)的成分比尖峰脈沖小,尖峰脈沖的寬度是一定的,其包絡(luò)線(xiàn)的變化表現(xiàn)為固定圖像噪聲,在圖像的垂直方向出現(xiàn)豎條干擾。為了抑制這種固定圖像噪聲采用圖7.45 (c)所示積分電路。攝像單元的輸出信號(hào)經(jīng)預(yù)放后加至積分電路。該信號(hào)成分包含尖峰脈沖信號(hào),晶體管的集電極電容C,在積分脈沖的一個(gè)周期內(nèi)積分,正負(fù)一對(duì)尖峰脈沖田面積相等,通過(guò)積分電路后被除掉。這時(shí)信號(hào)成分的電荷,僅由集電結(jié)電容積累。該信號(hào)電荷是在行積分脈沖的最后瞬間通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)被讀出。已有證明附加這樣一個(gè)簡(jiǎn)單的FPN抑制電路可使CMOS攝像器件的信號(hào)與固定圖像噪聲之比( S/FPN)由原來(lái)無(wú)抑制電路的46 dB提高到68 dB。同樣條件下,信號(hào)峰值與隨機(jī)均方根噪聲之比為66 dB,可見(jiàn)固定圖像噪聲消除電路有明顯效果。

    

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