z平面技術(shù)是紅外焦平面發(fā)展的又一種方式，它不同于單片式混成式的二維焦平面陣列。G60N90DG3所謂z平面，是指立體的焦平面陣列，它將信號(hào)讀出及處理功能的芯片（包括低噪聲前放、濾波器和多路傳輸?shù)龋┎捎茂B層的方法組裝起來．形成信號(hào)處理模塊，再把模塊與探測(cè)器和輸入／輸出線等連接在一起，其結(jié)構(gòu)原理如圖7.51所示。

   z平面技術(shù)可用于光導(dǎo)型、光伏型等各種探測(cè)器信號(hào)的讀出、處理。該技術(shù)自20世紀(jì)70年代開始出現(xiàn)，起初許多人認(rèn)為它的工藝難度大，不宜生產(chǎn)，無使用價(jià)值。然而，近幾年的發(fā)展表明，z平面技術(shù)的工藝全部以現(xiàn)有半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝為基礎(chǔ)，能批量生產(chǎn)，模塊化，使用維修方便，短期內(nèi)可能會(huì)走出實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入生產(chǎn)階段。另外，由于它的數(shù)據(jù)預(yù)處理能力，對(duì)于抑制嗓聲，提高靈敏度及縮小整機(jī)體積都具有較好性能，尤其適用于采用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等進(jìn)行多目標(biāo)的識(shí)別和成像跟蹤。

   早期的z平面技術(shù)是在陶瓷基片上完成的，并應(yīng)用到PbS探測(cè)器上，制成4096像元的PbS組件。PbS是沉積在陶瓷板邊緣的。目前，隨著z平面技術(shù)的發(fā)展，已制成對(duì)中紅外響應(yīng)的InSb、MCT組件，探測(cè)器采用銦焊技術(shù)或?qū)?dǎo)電環(huán)氧樹脂黏合在芯片邊緣上。像元數(shù)也從初期的64x64像元發(fā)展到超過256x256像元的z平面焦平面陣列。