市場(chǎng)上的LED是由Ⅲ-V族元素組成的化合物，如GaAs、GaP、GaAsP等， EP1K100FC256-3這些半導(dǎo)體材料在一定條件下具有發(fā)光特性。發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過渡層PN結(jié)，因此具有一般PN結(jié)的伏安特性，如正向?qū)�、反向截止、擊穿等�?/span>性。當(dāng)P區(qū)接高電平時(shí)，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。

   電子從N區(qū)擴(kuò)散（注入）到P區(qū)，而空穴從P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)，擴(kuò)散的結(jié)果將在半導(dǎo)體材料的PN結(jié)處形成一定高度的電子勢(shì)壘，阻止電子和穴進(jìn)一步擴(kuò)散，達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)外如一個(gè)正向偏置電壓，即P型材料接正極、N型材料接負(fù)極時(shí)，外電場(chǎng)形成的電流從LED陽極流向陰極，PN結(jié)勢(shì)壘降低，N區(qū)的電子將更多地注入到P區(qū)，P區(qū)的空穴更多地注入到N區(qū)，打破原來的平衡狀態(tài)。外電場(chǎng)激勵(lì)下的這些注入的電子和空穴在PN結(jié)相遇發(fā)生一定量的復(fù)合而發(fā)光。假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴

直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心捕獲，而后再與穴復(fù)合，每次釋放的能量較小，也形成不了光而以熱的形式散失掉。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，僅在靠近PN結(jié)幾納米

的大小決定了發(fā)光的波長，目前半導(dǎo)體晶體能發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光，近年來產(chǎn)生的表面和邊緣發(fā)光技術(shù)，能改變波長和功率特性等性能指標(biāo)。

   LED和普通二極管一樣具有單向?qū)щ姷奶匦�，這就決定了發(fā)光二極管必須使用直流電源或者單向脈動(dòng)電源供電。LED有負(fù)溫度系數(shù)的勢(shì)壘電勢(shì)，發(fā)光二極管上施加的正向電壓低于某個(gè)電壓值（開啟電壓）時(shí)發(fā)光二極管不導(dǎo)電，但外加電壓一旦超過這一電壓值時(shí)發(fā)光二極管的電流就會(huì)隨著外加電壓的變化急劇增加，對(duì)外電路呈現(xiàn)很低的動(dòng)態(tài)電阻，這一電壓值孰是發(fā)光二極管的勢(shì)壘電勢(shì)，不同顏色的發(fā)光管其勢(shì)壘電勢(shì)不同。