提示：3.4.1節(jié)介紹的AC Sweep分析是從分析電路對交流小信號的放大倍數(shù)隨頻率變化的角度反映電路的線性放大特性，上述例2則表明， E3JK-5M1-N瞬態(tài)分祈是分析電路在輸入信號波形作用下輸出端信號的實際波形。對比瞬態(tài)分析給出的輸出和輸入波形，不但可以計算信號頻率下電路的放大倍數(shù)，而且可以分析輸出信號波形的失真情況。對上述實例，輸入是一個振幅為150mV、頻率為lOOkH 的正弦信號，由于信號振幅明顯大于26mV，不滿足小信號條件放大中必然會產(chǎn)生非線性失真。從圖示的仿真結果輸出信號波形確實反映出明顯的非線性失真。結合3.6節(jié)介紹的傅里葉分析可以進一步計算基波和各次諧波的幅度大小，定量反映失真程度。因此AC分析和TRAN分析是從兩個不同的角度描述了電路的放大特性。

   施密特觸發(fā)器磁滯回線的瞬態(tài)分析

   施密特觸發(fā)器是一種具有磁滯回線特性的電路，本例介紹如何使用瞬態(tài)特性分析功能模擬分析電路的磁滯回線特性。

     晶體管Q1～Q4采用的是breakout庫中的QbreakN晶體管，描述其模型參數(shù)的模型QSTD

的參數(shù)定義如下：

   .MODEL QSTD NPN  (is=le-16 bf= 50 bFO.l rb=50 rc=10 tf .12ns tr=5ns

   + cje=.4pF pe=.8 me=.4 cjc=.5pF pc=.8 mc=.333 ccs-lpF va=50)

   榆入端信號源Vin采用的是分段線性信號源VPWL，信號參數(shù)為：Tl-O、Vl= -1.8V; T2=Ims、

V2= -1V;  T3 - 2ms、V3 - -1.8V.

   對該電路進行瞬態(tài)仿真的設置為：Run to time= 2ms，Maximum step size= O.Olms。

   完成瞬態(tài)分析后，用第5章介紹的Probe模塊可以顯示出圖3-31所示的磁滯回線。