從1947年開始，半導體AD8000YRDZ產(chǎn)業(yè)就已經(jīng)呈現(xiàn)出在新工藝和工藝提高上的持續(xù)發(fā)展。工藝的提高導致了具有更高集成度和可靠性的集成電路的產(chǎn)生，從而推動了電子工業(yè)的革命。這些工藝的改進歸為兩大類：工藝和結構。工藝的改進( improvement)是指以更小尺寸來制造器件和電路，并使之具有更高密度、更多數(shù)量和更高的可靠性。結構的改進是指新器件設計仁的發(fā)明使電路的性能更好，實現(xiàn)更佳的能耗控制和更高的可靠性。

   集成電路中器件的尺寸和數(shù)量是集成電路發(fā)展的兩個共同標志。器件的尺寸是以設計中的最小尺寸來表示的，稱為特征圖形尺寸( feature size)，通常用微米（斗m）和納米( nm)來表

不。l“m是111 000 000 m或約為人頭發(fā)直徑的1/100。Inm是111 000 000 000 m。半導體器件一個更專業(yè)的標志是柵條寬度( gate width)。晶體管由三部分構成，一部分足允許電流流過的通路。在當今的技術中，最流行的晶體管是金屬氧化物一半導體場效應晶體管( MOS-FET)結構（見第16章），其控制部分被稱為柵(gate)。通過生產(chǎn)更小和更快的晶體管及更高密度的電路，更小的柵條寬度推動著產(chǎn)業(yè)發(fā)展。目前，產(chǎn)業(yè)界正推向5 nm的柵條寬度，根據(jù)國際半導體技術路線圖( ITRS)，在2016年左右將達到5 nm的尺寸4。