減少氧化層電荷的措施包括以下幾種。

   1)對Qm，在生產(chǎn)工藝中，RF3159TR13可采取各種防Na+沾污的措施，如保證容器（改用石英制）、工具和氧化爐管的清潔，熱氧化的氣氛中加有適量HC1或氯氣，對氧化層表面加一層磷硅玻璃鈍化層，以固定殘存Na+并防止外界侵入的二次沾污，目前工藝已可使氧化層中Q。的含量在1×1010個／CITl2以下，即目前好的C-V測試儀溫度一偏壓試驗測不出可動電荷密度。

   2)對硅材料選用的晶格方向是100，使Qf歿Q，．最小。

   3)氧化層生長后進(jìn)行適當(dāng)高溫退火處理，以降低Qf及Qit

   4)在低頻低噪聲工藝中，適當(dāng)腐蝕發(fā)射區(qū)表面，降低基區(qū)表面摻雜濃度，以及采用減少應(yīng)變或熱感生缺陷的工藝，可降低Qi。，從而降低低頻(l/f)噪聲。

   5)對半導(dǎo)體表面進(jìn)行等離子體刻蝕處理，降低界面態(tài)。