對電流增益hFE及噪聲的影響 

   可同時俘獲（產(chǎn)生）電子一空穴對，超復(fù)合中心的作用。晶體管發(fā)射結(jié)附近表面的復(fù)合中心濃度，RF3159決定其表面的產(chǎn)生一復(fù)合電流，Qi．增加，必然要降低電流使得電流增益。

   當(dāng)發(fā)射結(jié)雪崩擊穿后，熱載流子從勢壘區(qū)電場獲得足夠能量，轟擊Si-Si02-界面，使有效復(fù)合中心密度即Q．。增加，這在淺結(jié)、重?fù)诫s發(fā)射區(qū)的雙極高頻晶體管中尤為突出，它導(dǎo)致FE及輸出功率下降。

   界面態(tài)是一種表面復(fù)合中心，其產(chǎn)生率或復(fù)合率有一定漲落，這種漲落調(diào)制了基區(qū)表面少子產(chǎn)生或復(fù)合速度，從而產(chǎn)生了疊加在基極和集電極電流上的噪聲電流，該電流的方均值與l/f成正比，所以稱l/f噪聲。

  MOS結(jié)構(gòu)的MS界面態(tài)的影響

   MESFET器件和MOS肖特基器件的核心是金屬一半導(dǎo)體接觸，由于半導(dǎo)體制備過程及金屬化過程的影響，在金屬和半導(dǎo)體接觸的界面會引入一層絕緣層，其厚度與工藝有關(guān)，從而形成了MOS結(jié)構(gòu)的金一半接觸，同時會引入界面態(tài)電荷D．。，其對MESFET器件的夾斷電壓VP的影響可為