在一定電場作用下，Si0。產(chǎn)生F-N隧穿電流，電子從陰極注入氧化層中，ACF321825-220-T注入電子在明極附近可產(chǎn)生新的陷阱或被陷阱所俘獲，局部電荷的積累，使其與陽極間某些局部地區(qū)電場增強。由于Si0。中場強分布不是線性的，只要達到該處S102介質的擊穿場強就發(fā)生局部介質擊穿，進而擴展到整個Si0。層，這是電子負電荷積累模型。

   另一種看法認為：注入電子在Si0。中被俘獲，或發(fā)生碰撞電離，產(chǎn)生電子一空穴對，也可能產(chǎn)生新的陷阱；空穴在向陰極漂移過程中被氧化層陷阱俘獲，產(chǎn)生帶正電的空穴積累。另外，電子注入在界面處使Si-0、Si-H鍵斷裂產(chǎn)生正電荷的Q。因正電荷的

積累，增強了陰極附近某處的電場，它使隧穿電子流增大，導致空穴進一步積累。這樣正電荷的積累和隧穿電子流的增加形成一個正反饋，最終引起Sioz的擊穿，這就是正電荷積累模型。

   具體擊穿過程一般認為是一個熱、電過程。隧穿電流與陰極場強有關。這涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能絕對平整，微觀上可能存在一些突起，使局部電場增強，也可能氧化層中某處存在一些雜質或缺陷，使界面勢壘高度降低，這都使該薄弱處首先產(chǎn)生隧道電子流。在外場作用下，電流呈絲狀形式漂移穿過Si0：膜，這種絲狀電流直徑僅數(shù)納米，電流密度很大，而Si0。的熱導率裉低(300K時約為0.OIW／(cm．℃))，局部地區(qū)產(chǎn)生很大的焦耳熱使溫度升高，溫升又促進F-N電流增加，這樣相互促進的正反饋作用，最終形成局部高溫，如不能及時控制電流的增長，可使鋁膜、Si02膜和硅熔融，發(fā)生燒毀性擊穿。