質(zhì)量良好的柵氧化層
發(fā)布時(shí)間:2016/5/2 18:23:44 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):701
20世紀(jì)90年代以來(lái), C3225CH2E153KT700N一些研究者對(duì)柵氧擊穿的物理過(guò)程及統(tǒng)計(jì)方法提出了一種新的看法,還沒(méi)有正式名稱(chēng),這里稱(chēng)為薄柵氧化層與高電場(chǎng)有關(guān)的物理/統(tǒng)計(jì)模型。
模型的提出基于下述分析:
1)質(zhì)量良好的柵氧化層,在未加應(yīng)力前的I-V測(cè)試中,在產(chǎn)生F-N隧穿電流前,其電流值很低,按面積歸一化后J一10-12 Alcm2。在施加電應(yīng)力后,F(xiàn)-N隧穿前的電流增加,經(jīng)過(guò)多種測(cè)試分析,認(rèn)為是由于氧化層中產(chǎn)生了中性陷阱所致。
2)氧化層中產(chǎn)生帶間碰撞電離所需能量約為氧化層禁帶寬度的1.5倍,氧化層禁帶寬度約為9eV,所以電子需要能量約為13. 5eV,當(dāng)柵氧厚度降至22nm以下時(shí),電離碰撞產(chǎn)生電子一空穴對(duì)已不大可能。
3)在柵氧厚度較薄時(shí),擊穿時(shí)間與柵氧厚度及通過(guò)柵氧的電子流無(wú)關(guān),只與氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。
20世紀(jì)90年代以來(lái), C3225CH2E153KT700N一些研究者對(duì)柵氧擊穿的物理過(guò)程及統(tǒng)計(jì)方法提出了一種新的看法,還沒(méi)有正式名稱(chēng),這里稱(chēng)為薄柵氧化層與高電場(chǎng)有關(guān)的物理/統(tǒng)計(jì)模型。
模型的提出基于下述分析:
1)質(zhì)量良好的柵氧化層,在未加應(yīng)力前的I-V測(cè)試中,在產(chǎn)生F-N隧穿電流前,其電流值很低,按面積歸一化后J一10-12 Alcm2。在施加電應(yīng)力后,F(xiàn)-N隧穿前的電流增加,經(jīng)過(guò)多種測(cè)試分析,認(rèn)為是由于氧化層中產(chǎn)生了中性陷阱所致。
2)氧化層中產(chǎn)生帶間碰撞電離所需能量約為氧化層禁帶寬度的1.5倍,氧化層禁帶寬度約為9eV,所以電子需要能量約為13. 5eV,當(dāng)柵氧厚度降至22nm以下時(shí),電離碰撞產(chǎn)生電子一空穴對(duì)已不大可能。
3)在柵氧厚度較薄時(shí),擊穿時(shí)間與柵氧厚度及通過(guò)柵氧的電子流無(wú)關(guān),只與氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。
上一篇:電子從陰極注入氧化層中
上一篇:物理(磨損)模型
熱門(mén)點(diǎn)擊
- Electrical Type(引腳電氣類(lèi)型
- Set Layer Usage參數(shù)
- 二維圖形的放置與屬性編輯
- 質(zhì)量良好的柵氧化層
- Options:參數(shù)選項(xiàng)
- 使用拖曳手柄進(jìn)行精選
- 失真分析圖表仿真的基本概念
- set zone operation
- 總線(xiàn)操作模式
- 傅里葉分析圖表仿真的基本概念
推薦技術(shù)資料
- PCB布線(xiàn)要點(diǎn)
- 整機(jī)電路圖見(jiàn)圖4。將電路畫(huà)好、檢查無(wú)誤之后就開(kāi)始進(jìn)行電... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究