20世紀(jì)90年代以來， C3225CH2E153KT700N一些研究者對柵氧擊穿的物理過程及統(tǒng)計方法提出了一種新的看法，還沒有正式名稱，這里稱為薄柵氧化層與高電場有關(guān)的物理／統(tǒng)計模型。

   模型的提出基于下述分析：

   1)質(zhì)量良好的柵氧化層，在未加應(yīng)力前的I-V測試中，在產(chǎn)生F-N隧穿電流前，其電流值很低，按面積歸一化后J一10-12 Alcm2。在施加電應(yīng)力后，F(xiàn)-N隧穿前的電流增加，經(jīng)過多種測試分析，認(rèn)為是由于氧化層中產(chǎn)生了中性陷阱所致。

   2)氧化層中產(chǎn)生帶間碰撞電離所需能量約為氧化層禁帶寬度的1.5倍，氧化層禁帶寬度約為9eV，所以電子需要能量約為13. 5eV，當(dāng)柵氧厚度降至22nm以下時，電離碰撞產(chǎn)生電子一空穴對已不大可能。

   3)在柵氧厚度較薄時，擊穿時間與柵氧厚度及通過柵氧的電子流無關(guān)，只與氧化層上的電場強度有關(guān)。