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質(zhì)量良好的柵氧化層

發(fā)布時(shí)間:2016/5/2 18:23:44 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):701

 20世紀(jì)90年代以來(lái), C3225CH2E153KT700N一些研究者對(duì)柵氧擊穿的物理過(guò)程及統(tǒng)計(jì)方法提出了一種新的看法,還沒(méi)有正式名稱(chēng),這里稱(chēng)為薄柵氧化層與高電場(chǎng)有關(guān)的物理/統(tǒng)計(jì)模型。

   模型的提出基于下述分析:

   1)質(zhì)量良好的柵氧化層,在未加應(yīng)力前的I-V測(cè)試中,在產(chǎn)生F-N隧穿電流前,其電流值很低,按面積歸一化后J一10-12 Alcm2。在施加電應(yīng)力后,F(xiàn)-N隧穿前的電流增加,經(jīng)過(guò)多種測(cè)試分析,認(rèn)為是由于氧化層中產(chǎn)生了中性陷阱所致。

   2)氧化層中產(chǎn)生帶間碰撞電離所需能量約為氧化層禁帶寬度的1.5倍,氧化層禁帶寬度約為9eV,所以電子需要能量約為13. 5eV,當(dāng)柵氧厚度降至22nm以下時(shí),電離碰撞產(chǎn)生電子一空穴對(duì)已不大可能。

   3)在柵氧厚度較薄時(shí),擊穿時(shí)間與柵氧厚度及通過(guò)柵氧的電子流無(wú)關(guān),只與氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。




 20世紀(jì)90年代以來(lái), C3225CH2E153KT700N一些研究者對(duì)柵氧擊穿的物理過(guò)程及統(tǒng)計(jì)方法提出了一種新的看法,還沒(méi)有正式名稱(chēng),這里稱(chēng)為薄柵氧化層與高電場(chǎng)有關(guān)的物理/統(tǒng)計(jì)模型。

   模型的提出基于下述分析:

   1)質(zhì)量良好的柵氧化層,在未加應(yīng)力前的I-V測(cè)試中,在產(chǎn)生F-N隧穿電流前,其電流值很低,按面積歸一化后J一10-12 Alcm2。在施加電應(yīng)力后,F(xiàn)-N隧穿前的電流增加,經(jīng)過(guò)多種測(cè)試分析,認(rèn)為是由于氧化層中產(chǎn)生了中性陷阱所致。

   2)氧化層中產(chǎn)生帶間碰撞電離所需能量約為氧化層禁帶寬度的1.5倍,氧化層禁帶寬度約為9eV,所以電子需要能量約為13. 5eV,當(dāng)柵氧厚度降至22nm以下時(shí),電離碰撞產(chǎn)生電子一空穴對(duì)已不大可能。

   3)在柵氧厚度較薄時(shí),擊穿時(shí)間與柵氧厚度及通過(guò)柵氧的電子流無(wú)關(guān),只與氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。




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