氮化硅由于有以下特性使其很適合作為鈍化層:

   (1)對擴散來說,它具有AD7892ARZ-3REEL非常強的掩蔽能力,對堿金屬離子的防堵能力也很好,且不易被水氣分子所滲透;

   (2)采用LPCVD和PECVD法均可制作;

   (3)可以對底層金屬實現(xiàn)保形覆蓋;

   (4)薄膜中的針孔很少。

  作為選擇氧化的掩蔽層時,可以把氮化硅直接沉積到硅襯底的表面上,有時考慮到氮化硅與硅直接接觸產生應力,形成界面態(tài),往往在硅表面上先沉積一層s⒑2作為緩沖層,然后再沉積一層作為掩蔽層的氮化硅。通過光刻形成圖形,再進行熱氧化。在硅氧化的同時氮化硅本身也會發(fā)生緩慢的氧化反應,因氮化硅氧化速度非常慢,只要氮化硅具有一定的厚度,它將保護下面的硅不被氧化,只有暴露的硅表面才能生長一層s⒑2。在氧化完成之后,氮化硅被除去。LOCOs工藝就是基于以上操作過程。