濕氧氧化。濕氧氧化中,用攜帶SG40281B1-000U-S99水蒸氣的氧氣代替干氧,氧化劑是氧氣水的混合物,反應(yīng)過程為:氧氣通過95℃的高純水,攜帶水汽一起進(jìn)入氧化爐在高溫下與硅反應(yīng)。

   濕氧氧化相當(dāng)于干氧氧化和水汽氧化的綜合,其速率介于兩者之間。具體的氧化速率取決于氧氣的流量和水汽的含量。水溫越高,則水汽含量越大,氧化膜的生 長速率和質(zhì)量越接近于水汽氧化的情況;反之,如果水汽含量比較小,則更接近于干氧氧化。

   濕氧法由于氧化環(huán)境中有水汽存在,所以氧化過程不僅有氧氣對(duì)硅的氧化作用,還有水汽對(duì)硅的氧化作用,

   濕氧氧化和水汽氧化都要用到高純?nèi)ルx子水,如果去離子水的純度不夠高或者水浴瓶等容器沾污的話,就會(huì)使氧化膜的質(zhì)量受到影響,為此將適當(dāng)比例混合的高純氫氣和氧氣通入氧化爐,在高溫下先合成水汽,然后再與硅反應(yīng)生成so2,就能得到高質(zhì)量的sio2薄膜。