在過去的50年中,電子工業(yè)持續(xù)顯著的增長在很大程度上是由于出現(xiàn)了更小、更輕、CY27C256-70WC更快和更便宜的半導(dǎo)體產(chǎn)品。目前基于1犰m特征尺寸的硅集成電路的先進(jìn)產(chǎn)品正在30Omm直徑的硅襯底上制造。21世紀(jì)的半導(dǎo)體生產(chǎn)將受到多種變化因素的影響,生產(chǎn)中新材料的引入是工藝集成中最為困難的問題之一,新材料的引入可帶來器件的優(yōu)良性能,但新材料引入的缺陷將決定半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能、成品率和可靠性。

   缺陷的分類

   隨著尺寸的縮小和縱橫比的上升,缺陷類型將限制新一代半導(dǎo)體的成品率。由于新工藝和新材料,缺陷的復(fù)雜度也提高了。界面的原子粗糙度將在確定缺陷類型和分布中起關(guān)鍵作用。因此,一種缺陷檢測工具不能滿足所有用途。光學(xué)顯微術(shù)將達(dá)到極限,對于任何250nm以下的測量,最好的光學(xué)顯微鏡也只能產(chǎn)生模糊的點(diǎn)。缺陷可廣泛歸類為隨機(jī)或系統(tǒng)缺陷。隨機(jī)缺陷――隨機(jī)缺陷定義為晶圓上性質(zhì)為隨機(jī)的缺陷。對于新一代產(chǎn)品,隨機(jī)缺陷將和今天遇到的相同,但缺陷的可容許尺寸將相應(yīng)縮小。例如,對于250nm特征尺寸的電路,80nm的粒子在引起掩模針孔或刻蝕鼠咬(Mouse bitc)等情況下是可以承受的。但對于特征尺寸10Onm的生產(chǎn)來說,需要降低到40nm。對潔凈室、化學(xué)供應(yīng)、設(shè)備負(fù)載和現(xiàn)場工藝等要格外注意。