以上這些步驟是連續(xù)發(fā)生的,每個步驟的生長速率是不同的,總的沉積速率由其中最慢的步驟決定,AD7892AR-3REEL7這一步驟稱為速率控制步驟。在常壓下,各種不同硅源沉積硅薄膜的速率與溫度有關。在高溫區(qū)沉積速率對溫度不太敏感,這時沉積速率實際是反應劑的分子通過擴散到達襯底表面的擴散速率;在低溫區(qū),沉積速率和溫度之間成指數(shù)關系。化學氣相沉積反應必須滿足三個揮發(fā)性條件。

   (1)在沉積溫度下,反應劑必須具備足夠高的蒸氣壓,使反應劑以合理的速度引入反應室。如果反應劑在室溫下都是氣體,則反應裝置可以簡反應劑揮發(fā)性很低,則需要用攜帶氣體將反應劑引入反應室,在這種情況下,接反應器的氣體管路需要加熱,以免反應劑凝聚。

   (2)除沉積物質外,反應副產(chǎn)物必須是揮發(fā)性的。

   (3)沉積物本身必須具有足夠低的蒸氣壓,使反應過程中的沉積物留在加熱基片上。