在對(duì)圖3-4中的⒈(AlyGalo05In05P有源層材料進(jìn)行外延工藝設(shè)計(jì)時(shí),我們主要關(guān)心兩個(gè)問題: AAT2554IRN-CAP-T1第一,降低外延材料中的非輻射復(fù)合中心密度以提高輻射復(fù)合效率;第二,生長(zhǎng)的外延層不但與襯底晶格常數(shù)要匹配,還要滿足輻射波長(zhǎng)的要求。外延層中的非輻射復(fù)合中心雜質(zhì)來源于原材料、載氣、反應(yīng)室壁以及襯底托盤中的寄生雜質(zhì),一方面通過原材料的純化等措施可降低雜質(zhì)的引入,另一方面在材料生長(zhǎng)過程中可通過優(yōu)化溫度、Ⅴ/III比和生長(zhǎng)速率等工藝參數(shù)來抑制這些雜質(zhì)。通過PL、sIMS、TEM和XRD多種測(cè)試手段可對(duì)材料的性質(zhì)進(jìn)行表征。