深槽側(cè)壁的形貌關(guān)系到后道工藝的順利進(jìn)行和器件的光電特性。一般有3種不同形式的側(cè)壁,即垂直型、斜面型和階梯型。分析表明,K4S281632D-NL75垂直型的側(cè)壁不利于電極材料的生長(zhǎng),通過濺射或蒸發(fā)方法在側(cè)壁上淀積的金屬材料相對(duì)于平面結(jié)構(gòu)會(huì)比較薄,而斜面型的側(cè)壁上金屬的覆蓋率會(huì)提高很多。另外,臺(tái)階型的側(cè)壁需要兩塊掩膜板,成本增加,彐.在臺(tái)階間的轉(zhuǎn)角處金屬附著也并不理想。因此,一般深槽側(cè)壁形貌設(shè)計(jì)成斜面型。在其他℃P參數(shù)設(shè)置不變的情況下,改變RF功率可以影響側(cè)壁傾斜度,隨著V功率的減小,側(cè)壁的斜度也逐漸減小Dq。選用不同的掩膜材料也可以影響ICP刻蝕的形貌,當(dāng)掩膜材料的垂直度較低時(shí),若刻蝕選擇比不高,則會(huì)得到和掩膜斜度相似的側(cè)壁;若掩膜材料的垂直度較高時(shí),則無(wú)論選擇比如何,都將得到垂直度較高的側(cè)壁。光刻膠做為ICP亥刂蝕掩膜時(shí)其垂直度較低,但由于深槽刻蝕的時(shí)間較長(zhǎng),首先需要甩厚膠才能保證不會(huì)刻蝕到p型 材料,更重要的是長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕會(huì)引起灘膠或糊膠現(xiàn)象,從而導(dǎo)致刻蝕圖形失真或清洗困難。因此,采用siα薄膜做為掩膜材料效果更好,通過改變RF功率來調(diào)節(jié)刻蝕側(cè)壁的傾斜度。圖午46所示為掃描電子顯微鏡下的側(cè)壁剖面。